智新半导体1700V SiC MOSFET模块正式下线

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 06 月 25 日 14:06 | 分类 企业 , 碳化硅SiC | edit

6月23日，智新半导体六周年暨第100万只模块下线仪式举行。 图片来源：智新科技 活动现场，智新科技副总经理曹永军介绍，六年来，智新半导体体系能力持续增强，产品平台不断丰富，今年销量同比大幅增长，两条产线产能利用率逐步饱满，开发的多款领先功率模块产品填补了东风空白，应用于多款新...  [详内文]

芯联集成并购过会，SiC芯片版图战略再升级

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 06 月 25 日 14:05 | 分类 企业 , 碳化硅SiC | edit

6月24日，芯联集成电路制造股份有限公司（以下简称“芯联集成”）发布公告称，公司发行股份及支付现金购买#芯联越州 集成电路制造（绍兴）有限公司（以下简称“芯联越州”）72.33%股权项目获上海证券交易所并购重组审核委员会审议通过。 图片来源：芯联集成公告截图 此次并购重组的顺利...  [详内文]

15亿投建，这一8英寸碳化硅产线完成备案

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 06 月 25 日 14:03 | 分类 企业 , 碳化硅SiC | edit

6月20日，浙江省投资项目在线审批监管平台发布了浙江晶瑞电子材料有限公司年产60万片8英寸碳化硅衬底片切磨抛产线项目的备案公示。该生产线规划年产60万片8英寸碳化硅衬底，预计投产后将提升国内碳化硅材料的自给率，助力新能源汽车、光伏储能等领域的快速发展。 图片来源：备案公示截图 ...  [详内文]

麻省理工学院推出氮化镓与硅芯片3D集成新技术

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 06 月 24 日 14:44 | 分类 氮化镓GaN | edit

近日，麻省理工学院（MIT）的研究团队取得了一项重大技术突破，开发出一种创新的制造工艺，能够将高性能氮化镓（GaN）晶体管与标准硅芯片进行三维集成。这一成果有望显著提升高频应用（如视频通话和实时深度学习）的性能表现，为半导体技术的发展开辟新的道路。 图片来源：麻省理工学院新闻 ...  [详内文]

罗姆为英伟达800V HVDC架构提供高性能电源解决方案

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 06 月 24 日 14:27 | 分类 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC | edit

6月23日，罗姆宣布成为支持英伟达全新800V高压直流（HVDC）架构的主要硅供应商之一。 罗姆介绍，公司不仅提供硅（Si）功率元器件，还拥有包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等#宽禁带半导体 在内的丰富产品阵容，可为数据中心的设计提供更优解决方案。 罗姆的Si MOSFET...  [详内文]

英飞凌强调：看好AI和机器人，加速中国本土化战略

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 06 月 23 日 14:42 | 分类 企业 | edit

英飞凌科技全球高级副总裁潘大伟近日表示，公司高度看好人工智能（AI）和机器人市场的前景，计划加大相关投入，并提供硅、碳化硅、氮化镓三种产品组合。在中国市场，英飞凌已实现大中华区占总营收 34% 的成绩，将加速产品本土化和生产，以应对“中国速度”。 英飞凌预计2025财年AI相关业...  [详内文]

签约落户，正式投产，两项三代半项目获新进展

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 06 月 23 日 14:37 | 分类 企业 , 半导体产业 | edit

近日，第三代半导体领域两大项目获得新进展——斯达半导体功率器件全球制造总部项目签约落户，诺天碳化硅半导体设备与基材生产基地项目举行投产仪式，两个项目相继为该产业发展注入新动力。   01、斯达半导体功率器件全球制造总部项目签约落户 6月18日，嘉兴市南湖区举行上市链主企...  [详内文]

Wolfspeed宣布达成重组协议：削减70%债务，获得2.75亿美元新融资

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 06 月 23 日 14:32 | 分类 企业 | edit

6月22日，Wolfspeed宣布，为主动优化资本结构、加速盈利进程，已与主要债权人达成《重组支持协议》（Restructuring Support Agreement, RSA）。此举旨在通过大幅削减债务、强化财务基础，确保公司在快速增长的电气化市场中保持领先地位并实现长期盈利...  [详内文]

深圳平湖实验室GaN课题组迎新成果

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 06 月 23 日 14:29 | 分类 氮化镓GaN | edit

近期，深圳平湖实验室的论文《肖特基型p-GaN栅HEMT中双跨导峰与单跨导峰的演变：部分耗尽与完全耗尽p-GaN层的影响》被IEEE ISPSD确认接收，论文第一作者为刘轩博士，通讯作者为万玉喜、David Zhou。 IEEE ISPSD涵盖了功率半导体器件、功率集成电路、工艺...  [详内文]

韩国材料巨头携手日本百年陶瓷技术企业：联合开发碳化硅新产品

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 06 月 23 日 14:23 | 分类 企业 , 碳化硅SiC | edit

6月16日，韩国LG化学与日本Noritake共同宣布，成功开发出专用于碳化硅（SiC）功率半导体的高性能银浆。该产品可耐受300℃高温环境，有助于解决电动车功率模块长期面临的芯片粘合技术瓶颈，为下一代800V高压平台及自动驾驶系统提供了关键材料支撑。 图片来源：LG化学 LG ...  [详内文]