在第三代半导体产业加速推进的背景下，碳化硅（SiC）作为核心材料的技术创新持续突破。据集邦化合物半导体不完全统计，近期国内碳化硅领域共有7项关键专利集中公开或授权，覆盖衬底制备、功率器件结构、单晶生长设备及应用拓展等核心环节，其中衬底绝缘层创新、高精度光栅制备及热场控制技术成为亮...  [详内文]