相关资讯：氮化镓

功率半导体大厂将进军氮化镓市场！
作者 |发布日期 2025 年 09 月 25 日 13:04 | 分类 功率 , 氮化镓GaN
在全球科技加速向清洁能源与智能化转型的浪潮中，功率半导体市场正迎来新一轮技术革新与产业变革。作为行业领军者，东芝电子元件近期动作频频，在碳化硅（SiC）、IGBT等领域持续深耕并取得显著成果后，又将战略目光投向了氮化镓（GaN）这一极具潜力的新兴领域。 东芝电子元件将进军氮化镓市...  [详内文]

烟山科技率先打通8英寸硅基氮化镓MicroLED混合集成工艺
作者 |发布日期 2025 年 09 月 19 日 14:14 | 分类 氮化镓GaN
近日，莫干山基金已投项目烟山科技在MicroLED核心制造工艺上取得了重大突破。该公司率先在8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）平台上完成了混合集成（Hybrid Bonding）工艺的全流程打通，并成功点亮了大尺寸MicroLED面板。 与传统键合集成工艺相比，Hybrid ...  [详内文]

中镓半导体实现6/8英寸GaN衬底制备
作者 |发布日期 2025 年 09 月 18 日 14:26 | 分类 企业 , 氮化镓GaN
近日，东莞市中镓半导体科技有限公司（以下简称“中镓半导体”）宣布取得重大技术突破，成功攻克6英寸及8英寸氮化镓（GaN）单晶衬底的制备技术。 图片来源：中镓半导体 这一成果依托于#中镓半导体 自主研发的超大型氢化物气相外延设备（HVPE），不仅填补了国际上HVPE工艺在6英寸及...  [详内文]

全球首个氮化镓量子光源芯片获工信部点名
作者 |发布日期 2025 年 09 月 17 日 15:24 | 分类 氮化镓GaN
近期，国务院新闻办公室在北京举行“高质量完成‘十四五’规划”系列主题新闻发布会。 会上，工业和信息化部副部长辛国斌提到，“十四五”期间，国家高新区内先后诞生了全球首台超导量子计算机、全球首个通用人工智能系统原型等原创技术和产品。今年上半年，全球首个氮化镓量子光源芯片在成都高新区正...  [详内文]

东科氮化镓电源管理芯片出货量达1亿颗！
作者 |发布日期 2025 年 09 月 12 日 15:51 | 分类 企业 , 氮化镓GaN
近期，东科半导体（安徽）股份有限公司（以下简称“东科”）迎来里程碑时刻——其自主设计、封测的第1亿颗氮化镓电源管理芯片正式出货。 资料显示，东科总部位于安徽马鞍山经开区，成立于2011年。为抢占第三代半导体发展先机，2016年东科前瞻布局、启动研发，在业内率先推出并量产了全合封氮...  [详内文]

直击SEMI-e半导体展，8/12英寸衬底、高功率GaN方案集中亮相
作者 |发布日期 2025 年 09 月 12 日 15:39 | 分类 展会 , 氮化镓GaN
2025年9月10日，备受瞩目的SEMI-e深圳国际半导体展暨2025集成电路产业创新展在深圳国际会展中心（宝安新馆）盛大开幕。 本次展会汇聚了半导体全产业链的核心代表力量，涵盖芯片设计、制造、封测、材料、设备等多个关键领域。 其中，化合物半导体作为重要展区之一，天科合达、烁科晶...  [详内文]

国内首款6英寸碳化硅基氮化镓产品：下半年将有望实现出货
作者 |发布日期 2025 年 09 月 09 日 18:33 | 分类 氮化镓GaN
9月8日，据立昂微在投资者互动平台表示，立昂东芯6英寸碳化硅基氮化镓产品通过客户验证，下半年将有望实现出货，目前多应用在航空航天、大型通讯基站、高铁机车、防卫市场等领域。公司相比同行的竞争优势是公司的自动化产线与砷化镓兼容，可降低成本和故障率，技术方面柔和了PED在电力电子方面的...  [详内文]

台积电酝酿碳化硅散热新突破，X-FAB氮化镓代工再升级
作者 |发布日期 2025 年 09 月 05 日 13:46 | 分类 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
当传统硅基半导体逐渐触及物理极限，第三代半导体日益受到重视。碳化硅、氮化镓等产品不仅在新能源汽车、5G通信以及光伏领域扮演关键角色，而且正推动产业从材料到设备、制造等领域的改革，吸引各路厂商积极布局。近期，台积电、X-FAB两家公司传出新进展。 台积电：计划将12英寸单晶碳化硅应...  [详内文]

GaN巨头换帅！曾就职于瑞萨、恩智浦、仙童
作者 |发布日期 2025 年 08 月 27 日 13:53 | 分类 企业 , 氮化镓GaN
8月25日，全球氮化镓（GaN）与碳化硅（SiC）功率半导体领域领军企业纳微半导体宣布，董事会聘任Chris Allexandre为公司总裁兼首席执行官，自2025年9月1日起生效，同时他将加入董事会。 图片来源：纳微半导体新闻稿截图 此次任命标志着公司管理层顺利交接，联合创...  [详内文]

华为最新披露，1200V全垂直GaN技术进展
作者 |发布日期 2025 年 08 月 25 日 13:38 | 分类 企业 , 氮化镓GaN
华为公司与山东大学的研究团队近日联合宣布，他们在高压电力电子器件领域取得了重大突破。双方成功开发出一种1200V全垂直GaN-on-Si沟槽MOSFET，其核心技术创新——氟注入终端（FIT-MOS）技术——显著提升了器件的性能，使其达到了与成本高昂的GaN衬底器件相当的水平。这...  [详内文]