近日，工商变更信息显示，星钥半导体（武汉）有限公司完成股权融资，新增投资方为高瓴创投、红杉中国、柏睿资本。
资料显示，星钥半导体专注于硅基Micro-LED产品的研发、生产与销售，核心是把第三代半导体材料氮化镓的发光单元微缩至微米级乃至纳米级并高度集成阵列，主打高亮度Micro-LED微显示芯片。该类产品具有响应速度快、对比度与色彩饱和度高、稳定性强等优势。
星钥半导体掌握8英寸硅基氮化镓LED外延技术，凭借成熟的无损去硅技术保障产品良率，且产线与8英寸CMOS半导体芯片工艺高度兼容。
今年9月，星钥半导体在光谷的Micro LED生产线就完成了正式通线，成为国内首条8英寸硅基氮化镓Micro LED芯片中试线。实现了从外延生长到模组组装的端到端完整流程覆盖，填补了国内相关领域空白。
据悉，该项目达产后年产能将达1.2万片8英寸Micro LED芯片，当下主攻单色显示的规模量产并逐步向全彩化迈进，生产产品可应用于AR/MR眼镜。
值得一提的是，星钥半导体的创始人骆薇薇也是英诺赛科的创始人。在业内，骆薇薇被誉为“氮化镓女王”，推动英诺赛科落地苏州工厂，成为全球第一家实现8英寸硅基氮化镓晶圆量产的企业。
今年3月，英诺赛科与星钥半导体签订了2025-2027年的产品、服务及设备销售框架协议。根据协议，英诺赛科会向星钥半导体提供氮化镓外延晶圆、失效分析等测试服务以及外延生长设备。星钥半导体的8英寸硅基氮化镓Micro LED芯片产线，与英诺赛科的8英寸硅基氮化镓晶圆量产能力高度匹配，这种合作形成了“材料-制造”的供应链协同闭环。
（集邦化合物半导体 Niko 整理）
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