截至2025年11月，碳化硅市场正经历关键的价值重估与结构性分化。在价格端，低端大宗原料成本推升价格上涨，而主流6英寸衬底则因产能过剩而持续暴跌。但在应用端，SiC凭借其卓越散热性能，极有可能成为NVIDIA Rubin平台和台积电先进封装中AI芯片散热的战略性关键材料，预示SiC产业将迎来由HPC应用驱动的第二波高价值增长。
1、SiC价格趋势分析：基础原料上扬与高阶衬底价格战
近期碳化硅（SiC）市场价格呈现出明显的结构性分化特征。
一方面，SiC大宗流通价格（如黑碳化硅、绿碳化硅的流通粉末或颗粒）受多重因素推动而走强。根据CIP商品行情网、生意社等价格网站披露，过去一周SiC流通价报每公吨6,271人民币，实现0.21%的周涨幅。
这波上涨主要由三股力量驱动：原材料成本的坚挺、下游需求应用领域的持续扩大，以及供应端因环保检查或产能限制所导致的供应整顿。这些因素共同作用，将成本压力传导至市场流通环节，推动基础原料价格上扬。
另一方面，用于功率器件的高阶6英寸SiC晶圆衬底市场却面临激烈的价格竞争。由于全球主要制造商产能的快速释放，市场一度出现供过于求的风险，导致SiC衬底价格持续暴跌。
供应链消息显示，衬底价格在2024年年中至Q4期间已跌至500美元/片以下，降幅超过20%。进入2025年后，价格竞争仍在持续，主流报价保持在400美元/片左右或更低，部分产品报价甚至逼近生产商的成本线，市场竞争格局正在加速洗牌。
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2、应用趋势聚焦：AI高性能计算（HPC）领域的结构性爆发
SiC在高性能计算（HPC）领域的导入确定性，成为截至2025年11月最新的强劲增长驱动力。随着AI算力芯片（如GPU）的功率飙升，传统散热材料难以应对，SiC凭借其卓越的导热性能（热导率高达500W/mK）成为解决方案的核心。
行业最新消息显示，全球龙头企业的布局已透露出最新进展：
NVIDIA平台导入SiC衬底作为中介层：英伟达（NVIDIA）传出将在2025年推出的Rubin平台中导入SiC技术。计划与台积电合作，将现行的CoWoS先进封装工艺中的硅中介层升级为碳化硅（SiC Interposer），以应对高功耗散热挑战。
台积电推动12英寸SiC载板供应链：晶圆代工巨头#台积电（TSMC）正积极推动供应链配合，研究将12英寸单晶碳化硅应用于散热载板，以取代现有的陶瓷基板，解决未来HPC芯片极限热功耗问题。衬底龙头企业之一天岳先进也已在2025年Q1推出全系列12英寸SiC衬底，为此应用提供材料基础。
数据中心架构转型：受惠于NVIDIA推动数据中心过渡至800V HVDC架构，对SiC功率元件的需求可望大幅跃升，进一步扩大SiC在AI服务器电源供应链中的市场份额。
新兴光学应用：VR/AR/MR眼镜：SiC因其折射率高达2.6-2.7（远高于传统玻璃），有潜力用于制造AR/MR眼镜的核心光学元件，帮助设备实现更轻薄、视场角更广（例如70度以上）的设计，有望成为下一代消费电子光学元件的关键材料。
这些举措标志着SiC不仅限于电力电子，更将深度参与到HPC的核心散热体系中，开辟了SiC产业的第二成长曲线。
3、结语
截至2025年11月，SiC市场正经历从产能扩张到应用升级的关键转折。尽管高阶衬底市场的价格战和整合仍在持续，但资本市场已将目光从短期价格波动转向SiC在AI/HPC领域的长期战略价值。
预期未来几年，随着NVIDIA和TSMC平台SiC方案的落地，产业将进入需求结构性爆发期，技术领先且具备成本控制优势的企业将主导市场，并引领SiC产业进入一个更高价值、更广应用的新纪元。
（集邦化合物半导体 竹子 整理）
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