中国科学院半导体研究所:氮化物片上光通信获突破

作者 | 发布日期 2025 年 09 月 28 日 18:54 | 分类 化合物半导体

近日,中国科学院半导体研究所#宽禁带半导体 研发中心王军喜、魏同波研究员团队,与复旦大学沈超研究员、沙特国王科技大学李晓航副教授合作,制备出氮化物片上日盲光通信集成器件,并搭建了可以实时传输视频信号的片上光通信集成系统。

该研究成果以“III-Nitride Micro-Array Integration for Photon Transceiver”为题,发表于《激光与光子学评论》(Laser & Photonics Reviews)。

集成器件在30A/cm2的低电流密度下-3dB通信带宽提高到451 MHz,集成波导的光学限制提高了51.9%,自驱动集成探测器表现出6.51×105的高开关比(PDCR)和73.3A/W的响应度,集成系统展示了200Mbps的片上光通信速率和纳秒级的瞬态响应能力(如下图),充分体现了氮化物光子集成系统在片上光通信领域的应用潜力。

图片来源:中国科学院半导体研究所
图:AlGaN基Mini -MQWs结构集成系统的片上测试结果及与当前已发表的氮化物集成器件传输速率的对比

此外,研究团队应邀在《应用物理评论》(Applied Physics Reviews)上发表题为“III-Nitride-based Monolithic Integration: From Electronics to Photonics”的综述论文(Appl.Phys.Rev. 2025,12,021301)。该论文系统探讨了III族氮化物在微电子、光子与光电领域的单片集成技术,不同功能模块在同一晶圆上有效集成,将消除冗余外接元件引起的寄生效应,增强系统鲁棒性并节省器件面积,III族氮化物单片集成技术将在光电混合IC中获得重要应用。(文章来源:中国科学院半导体研究所)

 

(集邦化合物半导体整理)

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