9月26日，据晶盛机电官微宣布，其旗下子公司浙江晶瑞SuperSiC首条12英寸碳化硅（SiC）衬底加工中试线正式通线。浙江晶瑞SuperSiC真正实现了从晶体生长、加工到检测环节的全线设备自主研发，100%国产化。
图片来源：晶盛机电
据晶盛机电介绍，该中试线覆盖了晶体加工，切割，减薄，倒角，研磨，抛光，清洗，检测的全流程工艺，所有环节均采用国产设备与自主技术，高精密减薄机、倒角机、双面精密研磨机等核心加工设备更是由公司历时多年自研攻关完成，性能指标达到行业领先水平。
相较于8英寸产品，12英寸碳化硅衬底单片晶圆芯片产出量可增加约2.5倍，能显著降低长晶、加工等环节的单位成本，为下游新能源汽车、AI 算力等领域的成本优化提供关键支撑。
12英寸方面，今年5月，晶盛机电宣布浙江晶瑞SuperSiC实现12英寸导电型碳化硅（SiC）单晶生长技术突破，首颗12英寸SiC晶体成功出炉——晶体直径达到309mm，质量完好。
晶盛机电全球化产能网络加速成型
产能布局方面，面对碳化硅材料的爆发式需求，晶盛机电已构建 “国内+海外” 的全球化产能网络。
今年7月，晶盛机电下属公司宁夏创盛新材料科技有限公司（简称“宁夏创盛”）年产60万片8英寸碳化硅衬底片配套晶体项目在银川正式开工。据了解，该项目聚焦8英寸碳化硅晶体的规模化生产，定位为 “衬底前道核心环节配套枢纽”，重点解决8英寸衬底量产中的晶体供应瓶颈 —— 其产出的高质量晶体将作为核心原料，支撑上虞基地的精密加工及全球客户的衬底需求。
上虞基地是晶盛机电国内产能布局的关键之一，其核心规划为年产30万片6-8英寸碳化硅衬底，是目前国内规划单体规模最大的碳化硅衬底量产基地之一，产品可兼容导电型（新能源汽车、光伏）与半绝缘型（5G通信）两大品类。该基地在2025年向高端技术延伸，不仅实现8英寸导电型衬底规模化出货，还推出8英寸光学级衬底（适配AR眼镜）、打通12英寸衬底中试线
除了本土产能建设外，晶盛机电在海外布局也积极推进，7月4日，浙江晶瑞SuperSiC马来西亚新制造工厂在槟城州举办奠基仪式。该项目总占地面积4万平方米，计划于今年正式动工。一期项目建成后，8英寸碳化硅衬底预计可实现24万片/年的高效产能。
（集邦化合物半导体 金水 整理）
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