功率半导体领域再增两起重磅合作

作者 | 发布日期 2025 年 09 月 28 日 19:06 | 分类 功率

近期,功率半导体领域合作动态不断,英飞凌与罗姆在碳化硅领域签署合作备忘录,就SiC功率器件封装展开合作并计划扩大合作范围;与此同时,烁科晶体与韩国EYEQ Lab、NAMUGA达成战略合作,在SiC衬底方面深度绑定。

英飞凌与罗姆达成碳化硅领域合作

近期,英飞凌宣布与罗姆就建立SiC功率器件封装合作机制签署了备忘录。

图片来源:英飞凌官微

双方旨在对应用于车载充电器、太阳能发电、储能系统及AI数据中心等领域的SiC功率器件封装展开合作,推动彼此成为SiC功率器件特定封装的第二供应商。

这意味着,未来客户可同时从英飞凌与罗姆采购兼容封装的产品,既能灵活满足客户的各类应用需求,亦可轻松实现产品切换。此次合作将显著提升客户在设计与采购环节的便利性。

罗姆将采用英飞凌创新的SiC顶部散热平台(包括TOLT、D-DPAK、Q-DPAK、Q-DPAK Dual和H-DPAK封装)。

英飞凌将采用罗姆的半桥结构SiC模块“DOT-247”,并开发兼容封装。这将使英飞凌新发布的Double TO-247 IGBT产品组合新增SiC半桥解决方案。

英飞凌与罗姆计划未来扩大合作范围,将涵盖采用硅基及碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带功率技术的更多封装形式。此举也将进一步深化双方的合作关系,为客户提供更广泛的解决方案与采购选择。

烁科晶体与韩国EYEQ Lab、NAMUGA达成战略合作

近期,电科材料下属山西烁科晶体有限公司(以下简称“烁科晶体”)与韩国知名半导体制造商EYEQ Lab、模块制造商NAMUGA在釜山达成战略合作,并受邀出席韩国首座可实现8英寸SiC功率半导体全流程本土化生产的标杆工厂,EYEQ Lab 8英寸SiC生产设施的落成仪式。

图片来源:电科材料

依托烁科晶体SiC衬底方面领先的技术水平和稳定的供应能力,结合EYEQ Lab在韩国本土半导体产业链布局优势,双方将围绕SiC衬底展开深度绑定和广域协同,共促行业技术创新与下游应用领域拓展,实现双向赋能和生态共建。

据悉,当前烁科晶体已向EYEQ Lab实现批量产品供应,双方在SiC领域的跨国合作取得实质性进展,并持续为全球新能源、5G通信及AR光波导等高增长赛道注入强劲动能。

期间,烁科晶体还亮相宽禁带半导体学术与产业会议——2025年第22届国际碳化硅及相关先进材料会议(ICSCRM),并在会上展出了12英寸碳化硅衬底产品,吸引了全球客户、专家学者的高度关注与深度互动。

(集邦化合物半导体 秦妍 整理)

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