近日，北京晶飞半导体科技有限公司在激光剥离金刚石材料领域取得重大技术突破。
基于在激光剥离碳化硅加工领域长期的技术积累，晶飞自主研发的激光剥离金刚石设备成功实现了2英寸单晶和3英寸多晶金刚石激光剥离，标志着晶飞在金刚石高精度激光加工装备领域取得重要进展。
金刚石因具有超高热导率、高击穿场强、高载流子迁移率以及优异的机械性能，被认为是面向未来先进散热、高功率电子器件、射频器件及新型半导体应用的重要战略材料。然而，由于金刚石具有极高硬度、高化学稳定性和加工难度大的特点，实现低损伤、高效率、大尺寸金刚石薄层制备一直是全球范围内亟待突破的技术难题。
针对金刚石材料特性及产业化加工需求，晶飞持续开展激光精密加工技术研发，成功开发出适用于金刚石材料加工激光剥离技术体系。金刚石激光剥离设备满足剥离厚度100~1500μm可调，最薄可剥离100μm。设备可满足不同应用场景下金刚石薄层制备需求，为金刚石晶圆化、薄膜转移及高性能器件应用提供关键装备支撑。
此次取得2英寸单晶与3英寸多晶金刚石激光剥离，是晶飞继实现12英寸碳化硅激光剥离技术产业化应用后又一次重要突破。该成果进一步拓展了激光剥离技术在第四代半导体材料领域的应用范围，且设备已成功交付部分头部客户。
目前晶飞已完成多家客户单晶/多晶金刚石激光剥离验证。对于1英寸金刚石剥离，损耗可小于80μm（上剥离面50μm，下剥离面30μm），加工时间小于15min。
（集邦化合物半导体整理）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。