文章分类： 氧化镓

两项氧化镓团体标准正式发布！

作者 | 发布日期: 2025 年 12 月 17 日 15:25 |
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| 分类: 氧化镓
近日，由杭州镓仁半导体有限公司牵头的《β相氧化镓同质外延片》（T/CEMIA 050-2025）与《氧化镓单晶位错密度测试方法》（T/CEMIA 051-2025）两项团体标准，经中国电子材料行业协会批准正式发布，将于2026 年1月1日起全面实施。 图片来源：中国电子材料行业...  [详内文]

氧化镓入选浙江省重大科技成果

作者 | 发布日期: 2025 年 12 月 05 日 17:02 |
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| 分类: 企业 , 氧化镓
近期，浙江省科技厅公布2025年度重大科技成果，杭州镓仁半导体有限公司的氧化镓系列成果入选。 图片来源：镓仁半导体 半导体材料的发展历经数代更迭：从以硅、锗为代表的第一代，到以砷化镓等化合物为代表的第二代，再到以碳化硅、氮化镓为代表的第三代。如今，被誉为“第四代半导体”的氧化镓...  [详内文]

这家氧化镓公司落户晋江并完成天使轮融资

作者 | 发布日期: 2025 年 11 月 19 日 14:28 |
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| 分类: 氧化镓
随着高功率器件性能需求的持续提升，氧化镓凭借超宽禁带、高击穿电场等优势，被视为理想的第四代功率半导体材料，吸引国内厂商不断布局，近期氧化镓领域再次传出新动态。 “晋江产经报道”官微消息，近日，晋江西安离岸创新中心孵化出的第一个产业化项目，专注于第四代超宽禁带半导体材料——氧化镓科...  [详内文]

石墨烯“做媒”，西电团队破解氧化镓散热瓶颈

作者 | 发布日期: 2025 年 11 月 10 日 14:41 |
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| 分类: 氧化镓
近日，中国科学院院士、西安电子科技大学教授郝跃团队的教授张进成、宁静在氧化镓散热难题上取得突破——用金刚石（钻石）为散热体，并通过石墨烯缓冲层实现高效热传导。该成果已在《Nature Communications》上发表。 图片来源：西安电子科技大学——图为郝跃（中）团队在实验...  [详内文]

富加镓业推出新型（011）晶面氧化镓衬底产品

作者 | 发布日期: 2025 年 10 月 20 日 13:46 |
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| 分类: 企业 , 氧化镓
近期，富加镓业正式推出新型（011）晶面氧化镓衬底产品，涵盖小片及2英寸标准规格，并全面开放4英寸衬底与2-4英寸外延片定制服务。 图片来源：杭州富加镓业科技有限公司 富加镓业成立于2019年，核心产品为氧化镓单晶衬底、MOCVD/MBE外延片、布里奇曼法（VB法）及导模法(E...  [详内文]

镓仁半导体实现6英寸氧化镓同质外延生长

作者 | 发布日期: 2025 年 10 月 16 日 18:27 |
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| 分类: 氧化镓
近日，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）宣布在氧化镓同质外延技术上取得重大突破，成功实现了高质量6英寸氧化镓同质外延生长。 此次镓仁半导体 的6英寸氧化镓同质外延片表现优异。外延层厚度超过10微米，厚度均匀性优异，方差σ小于1%。高分辨XRD摇摆曲线半高宽小于40弧...  [详内文]

国内第四代半导体氧化镓技术取得重大进展

作者 | 发布日期: 2025 年 09 月 16 日 14:19 |
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| 分类: 产业 , 氧化镓
氧化镓作为极具潜力的第四代半导体材料，能承受超高电压、成本低，在电动汽车、轨道交通、5G/6G基站、智能电网、航空航天等系统中应用广泛，被誉为下一代高功率电子器件的“明星材料”。不过，作为新兴材料，氧化镓应用仍有诸多技术瓶颈待克服。 近期，国内氧化镓领域频频传出重大进展。 富加镓...  [详内文]

国际领先，国内8英寸氧化镓衬底秀最新成绩单

作者 | 发布日期: 2025 年 09 月 04 日 14:09 |
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| 分类: 氧化镓
9月3日，“镓仁半导体”官微透露，杭州镓仁半导体有限公司(以下简称“镓仁半导体”) 8英寸氧化镓衬底今年7月通过了国内/国外知名机构的检测，并联合发布检测结果。 深圳平湖实验室检测结果显示，本次测试样品为氧化镓8英寸衬底，取点共计5个，XRD摇摆曲线半高宽测试结果：22~26 a...  [详内文]

16.8亿元氧化镓项目迎新进展：预计8月入驻机电设备

作者 | 发布日期: 2025 年 07 月 25 日 15:06 |
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| 分类: 氧化镓
近日，据上杭融媒公众号消息，福建晶旭半导体科技有限公司二期项目——基于氧化镓压电薄膜新材料的高频滤波器芯片生产项目迎来新进展。 目前最新进展是该项目整个主体建筑已全部封顶；办公大楼、研发楼、宿舍正在进行内部精装修；主体厂房洁净车间班组已入驻；动力中心正在内部调试，预计8月可进行机...  [详内文]