文章分类： 氧化镓

封顶/投产，国内两个化合物半导体项目新进展

作者 | 发布日期: 2025 年 05 月 28 日 14:18 |
关键字: ,
| 分类: 企业 , 氧化镓 , 碳化硅SiC
从氮化镓（GaN）的“秒充”革命到碳化硅（SiC）在新能源汽车中的规模化应用，化合物半导体正加速重构半导体产业的竞争格局，为5G通信、智能电网、工业电机驱动等领域注入新动能。随着市场对高性能、高能效半导体器件需求的激增，国内化合物半导体项目层出不穷。近期，两个相关项目传出新进展，...  [详内文]

氧化镓领域强强合作，国内厂商发力！

作者 | 发布日期: 2025 年 05 月 19 日 15:28 |
关键字:
| 分类: 企业 , 氧化镓
5月16日，中国氧化镓衬底领域领先企业镓仁半导体与德国氧化镓外延头部企业 NextGO.Epi 签署全球战略合作协议，双方将依托技术优势协同攻关，聚焦超宽禁带半导体材料氧化镓的研发与产业化，此次强强联合将共同推动氧化镓在新能源、电力电子等领域的应用突破，为全球半导体产业注入新动能...  [详内文]

亚洲氧化镓技术迎新进展

作者 | 发布日期: 2025 年 04 月 14 日 13:44 |
关键字:
| 分类: 企业 , 氧化镓
从硅（Si）到砷化镓（GaAs），再到碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），半导体材料禁带宽度的拓宽始终驱动着性能边界的拓展。如今，氧化镓（Ga₂O₃）作为第四代超宽禁带半导体材料的代表，正以其颠覆性的物理特性与成本优势，掀起一场新的半导体革命。 氧化镓熔点高达1900℃，不溶于水...  [详内文]