近日，杭州镓仁半导体有限公司取得重大技术突破，依托自主研发的SCIENCE系列VB法长晶设备，成功完成全球首次12英寸氧化镓晶体等径生长。这也是继今年3月公司推出全球首款8英寸氧化镓衬底及同质外延片后，在大尺寸氧化镓半导体材料领域的又一核心进展。
图片来源：镓仁半导体
据介绍，晶体等径生长是氧化镓材料产业化的关键环节。稳定成型的等径晶段，是晶锭开展切、磨、抛光加工的有效基材，等径段规格越高，单根晶锭可产出的合格衬底片数量越多，能够有效提升材料利用率、降低单片衬底生产成本。同时，12英寸氧化镓衬底可适配主流12英寸硅基芯片产线，能够有效降低下游厂商设备投入与产线改造成本，缩短产品研发迭代周期。
本次技术突破采用行业主流的VB法长晶工艺，该工艺在封闭坩埚内完成晶体定向凝固成型，具备流程简洁、缺陷可控、运行成本低等特点。针对12英寸大尺寸晶体生长的工艺难点，镓仁半导体通过自研设备与配套工艺包一体化方案，设备温控精度可达±0.1℃，有效解决大尺寸晶锭热场匹配、生长稳定性等核心问题，顺利实现从小尺寸到12英寸大尺寸氧化镓晶体的技术迭代。
公开信息显示，镓仁半导体自研的SCIENCE系列VB法长晶设备已实现对外销售交付，服务多家行业客户，凭借稳定的产品性能获得市场认可，并斩获CSPSD“优秀市场表现奖”。
在技术迭代层面，镓仁半导体今年3月已成功实现全球首次8英寸氧化镓同质外延生长，相关技术成果已通过国内外第三方权威机构认证。本次12英寸氧化镓晶体等径生长的落地，进一步完善了公司大尺寸氧化镓材料技术体系。
镓仁半导体表示，后续将持续推进12英寸氧化镓晶锭的加工打磨、性能检测与可靠性验证工作，稳步推动12英寸大尺寸氧化镓衬底从技术突破迈向规模化量产阶段。
（集邦化合物半导体整理）
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