这家厂商发布高纯度P型SiC衬底，赋能IGBT产业升级

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 12 月 31 日 17:23 | 分类 碳化硅SiC | edit

近期，江苏超芯星半导体有限公司（以下简称超芯星）正式在全球同步发布High Purity P-type SiC（高纯度P型碳化硅）衬底。 图片来源：超芯星 资料显示，P型碳化硅衬底是制备超高压IGBT的核心基础材料。长期以来，全球P型碳化硅衬底行业始终被一个致命痛点困扰——Fe...  [详内文]

小批量出货+战略合作，又一氮化镓厂商冲刺机器人赛道！

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 12 月 31 日 17:12 | 分类 氮化镓GaN | edit

近期，国内功率半导体企业宏微科技在氮化镓（GaN）领域动作频频，先是披露自主研发的氮化镓产品已实现小规模出货，随后又与国内传动领域头部企业达成战略合作，聚焦氮化镓器件联合共研及多领域应用拓展。 与国内传动领域头部企业达成战略合作 12月29日，宏微科技公告称，公司与一家国内传动领...  [详内文]

25.7亿元，新微集团完成战略融资

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 12 月 31 日 16:34 | 分类 企业 | edit

12月30日， 新微集团宣布完成第二轮融资，资金规模共计25.7亿元人民币。 本轮融资中，原股东混改基金、工银投资、交银投资继续增持，合计出资11亿元；国家绿色发展基金、上海国际集团、中电科投资、深投控资本、广西产投、临港新片区及临港策源七家“新面孔”同步入局，股东结构首次实现国...  [详内文]

深圳首个聚焦化合物半导体光电子领域公共服务平台落成！

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 12 月 30 日 15:14 | 分类 化合物半导体 | edit

近期，深圳技术大学半导体微纳加工中心与测试平台正式落成。 深技大副校长邓元龙代表学校，分别与清华大学深圳国际研究生院、深圳平湖实验室、深圳国际量子研究院、南方科技大学深港微电子学院、深圳光峰科技股份有限公司、蓝河科技(绍兴)有限公司、腾璞显示技术（深圳）有限公司、深圳市中科米格实...  [详内文]

这家设备厂实现12英寸碳化硅单晶炉小批量发货

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 12 月 30 日 15:09 | 分类 企业 , 碳化硅SiC | edit

2025年12月，晶升股份在碳化硅单晶炉领域迈出关键一步：公司自主研发的12英寸碳化硅单晶炉已于12月29日完成小批量发货，正式交付客户投入应用。这一进展不仅填补了国产300mm SiC长晶设备的空白，也为12英寸碳化硅衬底在先进封装、AR眼镜等新兴场景的落地奠定了“材料之基”。...  [详内文]

紫光国微公告，收购功率半导体大厂

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 12 月 30 日 15:01 | 分类 企业 | edit

12月29日，紫光国芯微电子股份有限公司（简称“紫光国微”）发布公告，宣布正筹划以发行股份及支付现金的方式，收购南昌建恩半导体产业投资中心（有限合伙）、北京广盟半导体产业投资中心（有限合伙）、天津瑞芯半导体产业投资中心（有限合伙）等交易对方持有的瑞能半导体体科技股份有限公司（简称...  [详内文]

这家公司水导激光技术成功实现12英寸碳化硅晶锭一次性高效精密加工

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 12 月 29 日 15:53 | 分类 碳化硅SiC | edit

近期，晟光硅研成功应用水导激光加工技术，对12英寸超大尺寸碳化硅晶锭实现了高质量、高效率的精密加工，具备应对超厚材料能力强、加工质量卓越、适用于大尺寸工件、环保与高效等特点，未来有望提升衬底制备能力、降低综合成本，为我国第三代半导体产业的自主可控与高质量发展注入强劲动能。 图片...  [详内文]

我国实现8英寸氧化镓晶体制备突破！

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 12 月 29 日 15:48 | 分类 氧化镓 | edit

据“上海科技”报道，12月27日，在上海市科委第四代半导体战略前沿专项支持下，中国科学院上海光机所（以下简称“上海光机所”）联合杭州富加镓业科技有限公司（以下简称“富加镓业”），在国际上首次采用垂直布里奇曼法（VB法）制备出8英寸氧化镓晶体。 图片来源：杭州富加镓业科技有限公司...  [详内文]

比亚迪半导体、株洲中车等3家企业披露最新进展

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 12 月 29 日 15:38 | 分类 企业 , 功率 | edit

近期，国产功率半导体“三线”齐传捷报：株洲中车53亿元8英寸SiC晶圆线正式通线，年增36万片产能；宁波比亚迪24万片SiC芯片技改项目通过验收，1200V沟槽栅MOSFET量产在即；东台富乐华10亿元高导热陶瓷基板项目主体封顶，180万片/年封装材料产线落地。 中车中低压功率器...  [详内文]

晶盛机电12英寸单片式碳化硅外延生长设备顺利交付

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 12 月 26 日 16:38 | 分类 碳化硅SiC | edit

近日，晶盛机电在碳化硅（SiC）核心装备领域取得重大突破，12英寸单片式碳化硅外延生长设备顺利交付全球头部SiC外延晶片生产商#瀚天天成。 新设备采用独创“垂直分流进气”结构，可在同一平台兼容8/12英寸工艺，实现晶圆表面温度≤±0.5℃的高精度闭环控制、工艺气体多区独立控制、全...  [详内文]