近日,三菱电机官方宣布,将于1月21日起正式出货四款全新沟槽型SiC MOSFET功率半导体裸片样品,产品聚焦电动汽车主驱逆变器、车载充电器及可再生能源供电系统等核心场景,凭借结构优化实现功率损耗较平面型产品降低50%的性能突破,进一步完善其SiC功率器件产品线布局。
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三菱电机四款全新沟槽型SiC裸片即将出货 |
| 作者 KikiWang|发布日期 2026 年 01 月 20 日 15:18 | 分类 碳化硅SiC |
