最新文章

烟山科技率先打通8英寸硅基氮化镓MicroLED混合集成工艺

作者 |发布日期 2025 年 09 月 19 日 14:14 | 分类 氮化镓GaN
近日,莫干山基金已投项目烟山科技在MicroLED核心制造工艺上取得了重大突破。该公司率先在8英寸硅基氮化镓(GaN-on-Si)平台上完成了混合集成(Hybrid Bonding)工艺的全流程打通,并成功点亮了大尺寸MicroLED面板。 与传统键合集成工艺相比,Hybrid ...  [详内文]

华为碳化硅散热技术专利曝光

作者 |发布日期 2025 年 09 月 19 日 14:10 | 分类 碳化硅SiC
华为近日公布了两项涉及碳化硅散热技术的专利,分别为《导热组合物及其制备方法和应用》和《一种导热吸波组合物及其应用》。 前者专利提供了一种导热组合物及其制备方法和应用。 图片来源:国家知识产权局专利信息截图 该导热组合物包括基体材料和导热填料;导热填料包括大粒径填料和小粒径填料,...  [详内文]

珂玛科技扩建,年产11000件半导体设备用碳化硅陶瓷部件!

作者 |发布日期 2025 年 09 月 19 日 14:03 | 分类 产业 , 碳化硅SiC
市场最新消息显示,珂玛科技半导体设备用碳化硅陶瓷部件的扩建项目获最新进展。9月15日,滁州市人民政府发布了关于《安徽珂玛材料技术有限公司半导体设备用碳化硅材料及部件项目环境影响报告表》受理公示。 图片来源:滁州市人民政府官网公示截图 安徽珂玛材料技术有限公司计划在滁州市中新苏滁...  [详内文]

罗姆:搭载罗姆SiC MOSFET的舍弗勒逆变砖开始量产

作者 |发布日期 2025 年 09 月 18 日 14:29 | 分类 碳化硅SiC
9月17日,据罗姆半导体官微宣布,搭载罗姆SiC MOSFET的舍弗勒逆变砖开始量产。 据了解,作为电驱动总成系统的核心部件,此次采用罗姆SiC MOSFET的逆变砖,对电动汽车的效率和性能有十分显著的作用。这款高性能逆变砖突破电动汽车牵引逆变器领域通常支持的800V电压,可支持...  [详内文]

中镓半导体实现6/8英寸GaN衬底制备

作者 |发布日期 2025 年 09 月 18 日 14:26 | 分类 企业 , 氮化镓GaN
近日,东莞市中镓半导体科技有限公司(以下简称“中镓半导体”)宣布取得重大技术突破,成功攻克6英寸及8英寸氮化镓(GaN)单晶衬底的制备技术。 图片来源:中镓半导体 这一成果依托于#中镓半导体 自主研发的超大型氢化物气相外延设备(HVPE),不仅填补了国际上HVPE工艺在6英寸及...  [详内文]

捷捷微电/三安光电披露,碳化硅取得新进展

作者 |发布日期 2025 年 09 月 18 日 14:06 | 分类 碳化硅SiC
近日,捷捷微电和三安光电在碳化硅领域的最新研发进展引发了行业关注。捷捷微电与中科院微电子研究所等合作研发碳化硅器件,目前处于小批量封测阶段;三安光电热沉散热用碳化硅材料研发进入送样阶段,其8英寸衬底准量产产品已进入主流新能源汽车企业供应链。 捷捷微电:携手科研机构,推进碳化硅器件...  [详内文]

瞄准碳化硅复合材料等领域,两家公司签署合作

作者 |发布日期 2025 年 09 月 17 日 15:27 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
近期,京瓷与Kyoto Fusioneering签署一项联合开发协议,共同为下一代聚变能源工厂研发先进的陶瓷材料。 据悉,此次合作将聚焦三个领域: 其一,用于聚变能源工厂的先进碳化硅复合材料,旨在增强其在极端条件下的耐用性和性能。资料显示,碳化硅复合材料具有优异的耐辐射性能,工作...  [详内文]

全球首个氮化镓量子光源芯片获工信部点名

作者 |发布日期 2025 年 09 月 17 日 15:24 | 分类 氮化镓GaN
近期,国务院新闻办公室在北京举行“高质量完成‘十四五’规划”系列主题新闻发布会。 会上,工业和信息化部副部长辛国斌提到,“十四五”期间,国家高新区内先后诞生了全球首台超导量子计算机、全球首个通用人工智能系统原型等原创技术和产品。今年上半年,全球首个氮化镓量子光源芯片在成都高新区正...  [详内文]

功率半导体新增两起合作,扬杰科技/芯迈半导体加码汽车电子

作者 |发布日期 2025 年 09 月 17 日 15:19 | 分类 功率
近期,功率半导体行业合作频频,多家企业围绕汽车电子领域展开深度合作,推动产业链协同与技术突破。扬杰科技与星宇股份、芯迈半导体与晶能光电相继达成战略合作,功率半导体企业在汽车电子领域的布局进一步深化。 1、扬杰科技与星宇股份正式签订战略合作协议 据扬杰科技官微消息,9月15日,扬州...  [详内文]

中科爱毕赛思第三台批产型MBE正式投产

作者 |发布日期 2025 年 09 月 16 日 14:33 | 分类 企业
9月16日,中科爱毕赛思(常州)光电科技有限公司宣布其第三台批产型分子束外延(MBE)设备正式投产。这标志着公司在半导体光电薄膜材料和器件的生产制造能力上取得了重大进展。 图片来源:中科爱毕赛思 中科爱毕赛思专注于III-V族化合物半导体光电薄膜材料和器件的研发与生产,其核心产...  [详内文]