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无锡半导体设备企业再获数亿元资金,年内完成三轮融资

作者 |发布日期 2025 年 12 月 08 日 17:11 | 分类 产业
近日,研微(江苏)半导体科技有限公司(以下简称“研微半导体”)完成数亿元A轮融资,投资方包括永鑫方舟、金圆资本、合肥产投等知名投资机构。该公司成立3年已有多台设备通过Fab厂验证,募集资金将用于未来研发投入及扩充团队。 公开资料显示,研微半导体成立于2022年,总部位于无锡,主要...  [详内文]

格力电器透露碳化硅芯片业务新进展

作者 |发布日期 2025 年 12 月 08 日 17:08 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
近期,格力电器在投资者关系平台上透露了碳化硅业务最新进展。 格力电器介绍,公司于2022年成立珠海格力电子元器件有限公司,全面负责第三代半导体碳化硅(SiC)晶圆制造、功率器件封装测试及半导体检测服务。 目前,电子元器件公司已经通过IATF16949车规级质量体系认证,并采用全自...  [详内文]

纳微半导体、威世相继推出SiC重磅新品

作者 |发布日期 2025 年 12 月 08 日 17:06 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
进入12月,全球碳化硅(SiC)功率器件领域迎来密集技术落地,头部企业纷纷加码高压、高可靠性产品布局。纳微半导体与威世(Vishay)相继发布重磅SiC新品,分别聚焦超高压场景突破与中功率市场适配。 1、纳微半导体发布3300V/2300V超高压SiC全系产品组合 12月1日,纳...  [详内文]

华为、比亚迪押注!碳化硅外延“第一股”港股敲钟,募资2.24亿美元

作者 |发布日期 2025 年 12 月 08 日 17:00 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
12月5日,广东天域半导体股份有限公司(以下简称“天域半导体”)正式在香港联合交易所主板挂牌上市。作为中国碳化硅(SiC)外延片领域的领军企业,天域半导体的成功上市不仅打破了国内同类企业在港股的“零记录”,也标志着松山湖科学城在培育高科技上市梯队方面取得了重要突破。 图片来源:...  [详内文]

氧化镓入选浙江省重大科技成果

作者 |发布日期 2025 年 12 月 05 日 17:02 | 分类 企业 , 氧化镓
近期,浙江省科技厅公布2025年度重大科技成果,杭州镓仁半导体有限公司的氧化镓系列成果入选。 图片来源:镓仁半导体 半导体材料的发展历经数代更迭:从以硅、锗为代表的第一代,到以砷化镓等化合物为代表的第二代,再到以碳化硅、氮化镓为代表的第三代。如今,被誉为“第四代半导体”的氧化镓...  [详内文]

扬杰科技与头部车企达成长期合作

作者 |发布日期 2025 年 12 月 05 日 16:57 | 分类 企业
12月2日,扬杰科技与奔驰正式签署长期合作协议,标志着扬杰科技在核心产品竞争力与全球市场拓展方面取得积极进展。 图片来源:扬杰科技 根据双方披露的合作细节,早在协议签署的两年前,扬杰科技便已启动与奔驰技术团队的深度对接。面对奔驰及其供应链在应用适配、可靠性验证等方面的严苛标准,...  [详内文]

九峰山实验室氮化镓新突破!即将中试验证

作者 |发布日期 2025 年 12 月 05 日 16:52 | 分类 氮化镓GaN
2025年12月4日,九峰山实验室宣布了一项重大的科技突破——氮化镓电源模块的研发成功。该电源模块只有拇指大小,100万个指甲盖大小的“黑盒子”,装入一座容量1吉瓦(10亿瓦)的超大型AI算力中心机柜里,一年可省近3亿度电,约合2.4亿元电费。 图片来源:中国光谷 团队负责人李...  [详内文]

新微半导体:氮化镓功率全工艺平台年产能突破60,000片

作者 |发布日期 2025 年 12 月 05 日 16:40 | 分类 氮化镓GaN
近期,由临港新片区管理委员会指导,新微半导体主办的“氮化镓驱动AI芯时代——临港氮化镓功率器件产业链峰会”成功举行。 会上,新微半导体宣布其100V-200V氮化镓功率工艺平台发布,同时该公司氮化镓功率全工艺平台实现年产能突破60,000片。 图片来源:新微半导体 新微半导体指出...  [详内文]

芯联绍兴集成电路产业基金成立,两大半导体项目同步落地

作者 |发布日期 2025 年 12 月 05 日 16:37 | 分类 企业 , 半导体产业
近期,芯联集成在资本、财务及技术端密集布局。12月2日,公司正式设立产业基金并绑定关键供应商,此前三季报显示营收增长近两成且亏损大幅收窄。结合最新发布的碳化硅G2.0技术平台,公司正通过“补链”与“扩产”双管齐下,为2026年预期的扭亏为盈目标积蓄动能。 图片来源:芯联集成官微...  [详内文]

英诺赛科“朋友圈”+1,携手安森美剑指200毫米氮化镓技术

作者 |发布日期 2025 年 12 月 05 日 16:29 | 分类 企业 , 氮化镓GaN
12月3日,英诺赛科(Innoscience)与安森美(Onsemi)半导体共同宣布,双方签署谅解备忘录,探讨利用Innoscience经过验证的200毫米氮化镓对硅工艺,扩大氮化镓(GaN)功率器件的生产。 图片来源:英诺赛科新闻稿截图 此次合作将结合Onsemi的系统集成、...  [详内文]