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功率半导体企业发布2025年度报告:营收近翻倍增长

作者 |发布日期 2026 年 04 月 13 日 15:29 | 分类 企业
近日,功率半导体企业苏州锴威特半导体股份有限公司发布2025年度业绩快报及经审计年度报告,全面披露全年经营情况。 报告显示,公司全年实现营收近翻倍增长,净亏损较上年持续收窄,虽仍未实现盈利,但经营态势稳步向好,核心产品竞争力持续提升。 数据显示,公司2025年营业总收入达2.55...  [详内文]

成都士兰15亿汽车半导体封装二期进度过半,预计年内通线

作者 |发布日期 2026 年 04 月 13 日 15:24 | 分类 企业 , 半导体产业
近日,据媒体报道,成都士兰汽车半导体封装(二期)厂房建设项目整体进度已过半,一期批次产线预计于2026年内通线并投入试运行,满产后将大幅提升国内汽车级功率模块封装测试产能。 该项目由杭州士兰微电子股份有限公司投资建设,总投资15亿元,于2025年7月举行奠基仪式,同年11月启动主...  [详内文]

北交所功率半导体第一股赛英电子上市,募资3.02亿

作者 |发布日期 2026 年 04 月 13 日 15:20 | 分类 企业
2026年4月10日,赛英电子正式在北京证券交易所上市,成为北交所功率半导体领域第一股。 赛英电子发行价格28元/股,公开发行股票1080万股,预计募集资金总额约3.02亿元。募集资金主要用于功率半导体模块散热基板新建生产基地及产能提升项目、新建研发中心项目及补充流动资金。 赛英...  [详内文]

韩国发力,欲用碳化硅助力HBM?

作者 |发布日期 2026 年 04 月 10 日 13:08 | 分类 碳化硅SiC
近期,媒体报道韩国正通过技术研发、企业合作和政府支持等多种方式,积极推动碳化硅在HBM制造中的应用,以提升HBM的性能、可靠性和生产效率,满足AI和高性能计算等领域对高带宽存储芯片的日益增长的需求。 韩国中小企业技术信息振兴院发布了《2026年度投资融资联动技术开发项目定向公告》...  [详内文]

英特尔推出全球最薄氮化镓芯粒

作者 |发布日期 2026 年 04 月 10 日 13:05 | 分类 氮化镓GaN
4月9日,英特尔代工服务宣布实现重大技术突破,成功研发出全球最薄氮化镓(GaN)芯粒,其基底硅片厚度仅19微米,约为人类头发丝直径的1/5。 该芯粒基于300毫米(12英寸)标准硅基氮化镓晶圆制造,采用英特尔自研的隐切减薄工艺实现超薄片化,在极致轻薄的同时,保障了结构完整性与性能...  [详内文]

2.56亿元,晶科电子拟收购碳化硅企业股权

作者 |发布日期 2026 年 04 月 10 日 13:01 | 分类 碳化硅SiC
4月8日,晶科电子股份发布公告,宣布其作为有限合伙人参与的广州天泽(有限合伙),已与相关卖方订立股权转让协议,拟收购目标公司广东芯聚能半导体有限公司注册资本合共约815.62万元,相关交易构成上市规则项下的须予披露交易及关连交易,尚需独立股东批准。此次收购背后,是晶科电子加码第三...  [详内文]

Silvaco集团与富鼎先进达成碳化硅合作

作者 |发布日期 2026 年 04 月 09 日 14:16 | 分类 碳化硅SiC
近日,Silvaco集团宣布已与富鼎先进电子股份有限公司(APEC)达成协议,进一步扩大双方的战略合作伙伴关系。 Silvaco集团是全球领先的半导体设计、数字孪生建模及AI软件自动化解决方案供应商。公司总部位于美国加州圣克拉拉,其技术体系涵盖了从原子级器件仿真(TCAD)到晶体...  [详内文]

高测股份:8寸碳化硅减薄机进入客户试用

作者 |发布日期 2026 年 04 月 09 日 14:10 | 分类 碳化硅SiC
4月8日,高测股份召开2025年度业绩说明会,在披露全年经营情况的同时,重点释放了泛半导体、机器人、钙钛矿等新业务的突破性进展。其中,公司8英寸碳化硅减薄机已进入客户试用阶段。 据悉,高测股份成立于2006年,2020年登陆科创板,是国内高硬脆材料切割领域全产业链领先企业。公司以...  [详内文]

总投资20亿元,这一化合物半导体项目落地太仓

作者 |发布日期 2026 年 04 月 09 日 14:08 | 分类 化合物半导体
4月8日,三菲化合物半导体光芯片制造基地项目签约落户江苏太仓,项目计划总投资达20亿元,将聚焦化合物半导体光芯片研发与制造,填补区域相关产业空白,助力太仓打造半导体产业集群。 化合物半导体光芯片是光通信、5G通信、人工智能、物联网等新兴领域的核心元器件,市场需求持续攀升,也是我国...  [详内文]

深圳平湖实验室成功研制万伏级氧化镓光导开关

作者 |发布日期 2026 年 04 月 08 日 18:08 | 分类 氧化镓
深圳平湖实验室联合国内科研团队完成一款万伏级超低导通电阻氧化镓光导开关的研制与验证工作。该器件基于杭州镓仁半导体有限公司(下称“镓仁半导体”)自主研发的高质量氧化镓半绝缘衬底材料,击穿电压超过10000V,动态导通电阻低于10欧姆,响应时间小于1纳秒。 据深圳平湖实验室介绍,该器...  [详内文]