6月17日，上海新微半导体有限公司（简称“新微半导体”）宣布正式发布基于砷化镓（GaAs）的高速和阵列光电探测器（PD, Photodetector）工艺平台。该平台的推出，标志着新微半导体在高速数据通信与光通信领域业务板块的进一步拓展，可以为客户提供更丰富、更高效和更可靠的光电解决方案。
图片来源：新微半导体
据介绍，该平台采用了4英寸GaAs/AlGaAs异质结外延技术，结合深台面刻蚀、侧壁钝化及BCB/PBO平坦化等关键工艺，具备低暗电流、低电容、高响应度、高带宽及高可靠性等优越性能。其代工产品能够在-40℃到85℃的宽温范围内稳定运行，确保设备在严寒、高温等严苛环境下的性能一致性，保障终端设备可靠运行。
在可靠性验证上，其代工产品已通过Telcordia GR468可靠性标准测试，涵盖HTOL（高温工作寿命）、ESD（静电放电）、T/C（温度循环）及THB（高温高湿寿命）等关键测试项目。在175℃的HTOL测试以及THB（温度85℃、湿度85%RH）测试环境中，施加-5V偏置电压条件，三批产品（抽样标准77颗样品）经过2000小时老化后，均实现零失效，产品可靠性满足通信级标准。
作为先进的化合物半导体晶圆代工企业，新微半导体自成立以来，一直专注于为功率和光电两大应用领域的客户提供多元化的晶圆代工及配套服务。除了此次推出的砷化镓光电探测器工艺平台，公司还拥有基于3/4吋磷化铟（InP）材料的全系列光电工艺解决方案，以及氮化镓（GaN）功率器件制造平台等，产品广泛应用于通信、新能源、消费电子、汽车、工业和生物医疗等多个终端应用领域。
新微半导体总经理王庆宇博士表示：“新微半导体始终致力于为客户提供最先进的化合物半导体工艺解决方案。此次高速和阵列砷化镓光电探测器工艺平台的推出，是我们在光电领域的又一重大突破。我们相信，凭借该平台的卓越性能，将帮助客户在市场竞争中取得优势，推动行业的技术进步和应用拓展。”
（集邦化合物半导体整理）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。