近期，时代电气、三安光电两家公司在投资者互动平台答复投资者关心的问题，涉及碳化硅产能、技术等新进展。
时代电气表示，公司拥有一条6英寸SiC芯片产线，当前已具备年产2.5万片6英寸SiC芯片产能。
当前公司SiC第四代沟槽栅产品已完成设计定型，达行业先进水平，第五代SiC技术也已完成布局。目前SiC重点产品包括3300V高压平面栅SiCMOSFET、1200V精细平面栅SiCMOSFET，1200VSBD等，1200V沟槽栅SiCMOSFET性能指标基本对标国际龙头企业。
公司SiCMOSFET覆盖650V-6500V电压等级，适合高频/大功率密度系统要求，可广泛应用于新能源汽车、不间断电源（UPS）、风力发电、光伏逆变器、铁路运输、工业、智能电网等领域。
株洲三期于2024年11月份启动建设，2025年5月主体厂房封顶，预计2025年下半年启动设备搬入，2025年底有望实现产线拉通，该项目为8英寸SiC晶圆。
图片来源：时代电气
三安光电在投资者互动平台披露多项业务进展。
12英寸碳化硅衬底正在开发中；湖南三安的碳化硅产品已实现向通合、科士达、致瞻等充电桩客户批量供货，以及台达、光宝、长城、维谛技术等数据中心及AI服务器电源客户供货。
湖南三安的主驱逆变器用SiC MOSFET从1200V 16mΩ迭代到1200V 13mΩ，在国内头部电动车企客户处的摸底模块验证已完成。此外，湖南三安已布局氧化镓、金刚石等第四代半导体材料的研发。
产能方面，三安光电介绍，湖南三安已拥有6吋碳化硅配套产能16,000片/月，8吋碳化硅衬底产能1,000片/月、外延产能2,000片/月，8吋碳化硅芯片产线正在建设中。安意法已于2025年2月实现通线，首次建设产能2,000片/月；重庆三安首次建设产能2,000片/月，已开始逐步释放产能。
（集邦化合物半导体 Flora 整理）
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