10月9日，武汉市举行2025年四季度全市重大项目建设推进会。
会上，东湖高新区相关负责人表示，位于东湖高新区光谷一路的先进封装综合实验平台二期及产业化基地项目，计划10月开工，明年10月通线试运行，建设国内高端芯片先进封装量产线，将中试平台创新成果直接导入量产，构建以实验室为引领，贯穿先进封装“基础研究—概念验证—研发—小试—中试—产业化”全链条的创新闭环。
东湖高新区相关负责人介绍，该项目将与人工智能芯片、光芯片、化合物半导体、硅光等创新载体联动，在未来10年内推动超50家产业链上下游创新创业团队落户武汉光谷。
2023年，武汉提出打造全球化合物半导体创新灯塔和产业高地。如今，武汉已成为全国重要的化合物半导体创新高地。
2025年5月28日，长飞先进武汉基地首片晶圆下线，该项目总投资超200亿元，一期建设内容包括年产36万片外延厂、年产36万片6寸碳化硅晶圆厂等。与长飞先进武汉基地相距不远的先导稀材高端化合物半导体材料及芯片产业化基地已全部封顶，计划年底前实现部分投产，该项目投资120亿元，建成后将填补武汉光通信及激光产业所需半导体衬底、外延材料的空白。
图片来源：长飞先进
此外，作为湖北省十大实验室之一的九峰山实验室，2023年正式投入运营，聚焦化合物半导体的研发与创新，已建成全球化合物半导体产业最先进、规模最大的科研及中试平台，接连突破全球首片硅光铌酸锂集成晶圆、全球首创8英寸硅基氮极性氮化镓衬底等关键核心技术，迄今已吸引500多家企业和科研机构寻求合作，30多家上下游企业比邻而居。
在武汉东湖高新区建设的化合体半导体产业创新街区，目前主体结构已封顶，预计于2026年建成投用。该基地总投资17亿元，其中2/3以上用于打造千级/百级超净洁净室、高效冷却设备、超纯水处理系统、大宗气体系统等半导体生产公共基础设施。
（集邦化合物半导体 Niko 整理）
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