近期，立昂微披露，控股子公司金瑞泓微电子（衢州）有限公司（以下简称“金瑞泓”）拟在现有厂房内建设“年产180万片12英寸重掺衬底片项目”，计划总投资22.62亿元，其中固定资产投资21.96亿元。
图片来源：立昂微公告截图
立昂微介绍，本次投建项目建设周期约60个月，将采取分阶段建设、分阶段投入、分阶段产出的模式进行，预计每年投入金额约3.5亿元，资金投入进度将结合公司资金状况、市场供需状况进行动态调节，预计投资收益率7.76%。
资料显示，金瑞泓已掌握12英寸硅片成套工艺核心技术，可满足高端功率器件需求，终端应用于AI服务器不间断电源、储能变流器、充电桩、工业电子、伺服驱动器以及消费类电子、汽车电子、家用电器、嵌入式系统和工业控制等领域。
本次投建项目将采用金瑞泓自主开发的重掺杂直拉硅单晶的制备技术、微量掺锗直拉硅单晶技术和低缺陷掺氮直拉硅单晶技术等最重要的生产工艺。
金瑞泓现有重掺系列硅片产能爬坡迅速，目前已接近满产，为进一步满足市场需求，本次投建项目系在金瑞泓现有厂房内实施的扩产项目，可与现有“年产180万片12英寸半导体硅外延片项目”形成上下游配套。
本次投建项目实施后，立昂微将实现新增年产180万片12英寸重掺衬底片的产能规模，有利于开发和制备当前高端功率器件市场急需的重掺砷、重掺磷等系列的厚层、埋层等特殊规格的硅外延片产品，可显著提高公司重掺系列硅片生产能力，优化产品结构，提升产品丰富度，巩固市场头部地位，提升综合竞争力。
（集邦化合物半导体整理）
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