“天科合达”官微消息，近期，中国科学院正式公布2025年院士增选结果。中国科学院物理研究所研究员、北京天科合达半导体股份有限公司首席科学家陈小龙光荣当选为中国科学院院士。
图片来源：天科合达官微截图
天科合达 介绍，陈小龙研究员是我国碳化硅半导体材料科学与技术领域的开拓者之一。他长期坚守科研一线，潜心钻研、勇攀高峰，在第三代半导体关键材料领域取得系统性突破，为我国实现该领域的自主发展作出了重要贡献。
作为天科合达首席科学家，陈小龙研究员自公司创立以来，始终致力于推动前沿科研与产业实践的深度融合。他带领团队在PVT法碳化硅单晶衬底制备与产业化技术上实现一系列原创性突破，系统攻克了大尺寸、高品质碳化硅单晶衬底的核心技术难题，有力推动了国产碳化硅衬底的产业化进程。这些成果不仅为碳化硅材料的规模化应用奠定了坚实基础，也对我国宽禁带半导体产业链的完善与升级带来了深远影响。
资料显示，天科合达成立于2006年9月，是国内最早专业从事碳化硅半导体材料及相关产品研发、生产和销售的国家级高科技企业之一，是国家工业和信息化部重点支持的国家专精特新”小巨人”企业。
天科合达技术依托于中国科学院物理所，作为中国碳化硅晶片生产制造的先行者，天科合达通过持续自主研发，成功突破国外技术垄断，推动国产碳化硅材料从无到有、从弱到强的跨越式发展。
天科合达作为项目牵头单位，承担了“十四五”期间国家研发课题“大尺寸SiC单晶衬底制备产业化技术”，取得了一系列突破性成果，持续引领着行业技术进步。
天科合达在“十四五”期间，不断创造多项行业里程碑：导电型碳化硅衬底累计出货量已突破一百万片；成功攻克350微米8英寸导电型衬底关键技术并实现规模化量产；成功研制出8英寸光学级碳化硅衬底及12英寸导电型碳化硅衬底；率先实现国产碳化硅衬底在电动汽车主驱逆变器中的大规模应用等等。
（集邦化合物半导体整理）
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