近日，国内氮化镓（GaN）产业迎来新突破。镓奥科技成功点亮国内首个5000W-7000W级负压直驱GaN封装样机，填补国内千瓦级高压直驱技术空白；南芯科技推出700V高压GaN半桥功率芯片SC3610，以高集成、高精度驱动性能适配高端电源场景。
两项成果分别聚焦大功率工业级应用与高压芯片产品落地，标志着我国第三代半导体技术在高功率、高压领域的研发与产业化进程全面提速。
镓奥科技打造中国首个“负压直驱”千瓦级GaN器件
11月24日，#镓奥科技 宣布成功实现国内首个5000W-7000W级负压直驱GaN封装样机的点亮，标志着中国GaN技术正式进入千瓦级高可靠性应用的新阶段。
图片来源：镓奥科技
作为第三代半导体核心材料，氮化镓凭借高耐压、低寄生参数、耐高温等优势，成为高功率密度电源的理想选择。但长期以来，栅极脆弱、失效率高、电磁干扰（EMI）严重等问题，制约了其向千瓦级大功率场景的突破，当前市场主流产品仍集中于百瓦级消费电子快充领域。而负压直驱技术作为解决这一痛点的关键方案，国内长期处于技术迟滞状态。
根据镓奥科技介绍，镓奥科技自2021年起启动相关研发项目，历经四年技术攻坚完成多代栅驱系统迭代，通过全链路协同设计与数十轮关键环节优化，构建了可重构双模式D-GaN负压直驱芯片架构。
该架构实现了负压生成与栅极能量回收的单芯片集成，将外部驱动电感大幅缩减，并使栅极充电功率损耗降低40%，有效解决了传统氮化镓器件在高功率下的误导通、开关失控等难题，同时显著提升了系统抗干扰能力与集成度。
值得关注的是，该样机严格遵循工业级标准，已完成高压高温老化、功率循环、栅压冲击等多维度可靠性测试，确保在复杂工况下的稳定运行。
其应用场景覆盖数据中心电源、车载充电器（OBC）、新能源储能逆变器、低空经济设备电控等多个高价值领域，可通过提升功率密度与效率，帮助下游场景降低热管理成本、缩小设备体积，为人工智能、新能源汽车、工业自动化等产业升级提供核心支撑。
据了解，镓奥科技总部位于浙江湖州，在深圳、香港设有全资子公司，专注于中大功率氮化镓器件与模组的研发销售。此次样机点亮后，相关产品预计2026年正式向客户提供样品，将助力国内产业链在第三代半导体高功率领域抢占市场先机，推动我国氮化镓技术从消费电子向工业级、车规级等高价值赛道全面延伸。
南芯科技推出700V高压GaN半桥功率芯片
11月25日，#南芯科技 宣布推出700V高压GaN半桥功率芯片SC3610，可实现高精度电压驱动、更优的通道延时匹配和更好的EMI性能。SC3610特别适用于高频软开关电路应用，如LLC、AHB（不对称半桥反激）等拓扑，为AI服务器电源、大功率工业电源、电机驱动等应用提供更加高效可靠的电力支持。
图片来源：南芯科技
据介绍，SC3610集成高压半桥隔离驱动和两颗700V增强型GaNFET，可大幅降低系统成本和PCB占位面积。SC3610为每个GaNFET提供稳定的差分驱动电压，极大减少了驱动回路的寄生参数，既简化了外围元件，还能大幅提升GaN器件的可靠性。
资料显示，南芯科技成立于2015年，2023年在科创板上市，主营业务是模拟与嵌入式芯片的研发、设计和销售，专注为消费电子、工业和汽车电子领域提供高性能电源及电池管理完整解决方案。
根据企业2025年三季度财报数据，南芯科技经营表现稳健，累计前三季度实现营业收入23.8亿元，净利润1.88亿元。其中Q3单季度营收9.10亿元，同比增长40.26%，增长势头显著。
南芯科技在氮化镓（GaN）领域以高集成合封技术为核心，形成了覆盖消费电子快充、逐步拓展至车规级场景的完善布局，凭借持续的研发投入和产品落地，逐渐成为氮化镓快充领域的核心方案供应商之一。
公开资料显示，目前南芯的氮化镓合封芯片已获得众多头部消费电子品牌认可并批量出货。在消费电子领域，紫米30W氮化镓充电器、倍思30WGaN3充电器、威源新能30W1A1C氮化镓充电器等均采用其氮化镓芯片；小米、OPPO、vivo、荣耀等大厂也已深度导入其POWERQUARK®全集成反激方案（含氮化镓技术）。
此外，南芯科技并未局限于消费电子快充领域，正积极向高价值的车规级氮化镓市场拓展。其首批车规GaNPFC芯片已进入车企验证阶段，预计2026年实现放量。
南芯科技紧跟氮化镓（GaN）等第三代半导体材料应用趋势，是顺应行业技术迭代、契合自身业务布局且抢抓市场机遇的必然选择。而氮化镓凭借诸多性能优势，在多个高价值领域拥有广泛应用场景。
（集邦化合物半导体整理）
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