近期，广东省发展和改革委员会公布2025年度广东省中试平台遴选结果，深圳平湖实验室联合深圳市鹏进高科技有限公司 联合共同建设的“化合物功率半导体中试平台”成功入选。
图片来源：2025年度广东省中试平台认定名单截图
此次获批的“广东省化合物功率半导体中试平台”具备研发、中试与产业化能力，平台构建了从器件结构设计、工艺开发到产品测试的全流程的中试服务体系，能有效破解行业技术转化瓶颈，加速高性能芯片国产化进程，为新能源汽车、轨道交通、智能电网、5G通信等战略性新兴产业提供核心技术支撑。作为连接实验室技术成果与产业化规模化生产的“关键桥梁”，化合物功率半导体中试平台精准聚焦行业痛点，降低科技成果转化风险，加速创新产品落地，赋能产业链升级。
平湖实验室表示，下一步将持续高标准推进平台建设运营，开放共享中试资源，汇聚国内外创新力量，深化与上下游企业、高校及科研机构的协同合作，加快形成新质生产力，有力支撑广东省半导体行业高质量发展。
资料显示，深圳平湖实验室成立于2022年8月，下设多个先进功率半导体课题组及相关管理支撑部门。实验室采取开放共享的运行模式，积极开展国内外科技合作和学术交流，建设面向全国的公共、开放、共享的平台，涉及8英寸SiC、GaN芯片，核心装备及零部件和材料验证，材料研究及器件测试与认证共享服务与科技服务共享四大技术平台，瞄准五大应用方向：新能源汽车与轨道交通电驱动、新型电力系统、新一代通信和数据中心的基础设施供电、消费类电子和通用电源、特种装备及其它。
2025年11月，深圳平湖实验室第三代跃升课题组在碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）技术研发上取得重要进展，成功研发出的750V平面型SiC JFET器件，技术指标达到了国际先进水平。
2025年12月，深圳平湖实验室表示在高压650V氮化镓（GaN）功率器件领域取得关键进展，成功研制出高性能高压GaN E-HEMT（增强型高电子迁移率晶体管）器件，关键性能达到国际先进水平，可为数据中心一次电源、工业机器人、车载OBC提供有竞争力的解决方案。
同期，在国家科技重大专项支持下，深圳平湖实验室在高压1200V级GaN功率器件领域取得关键性突破，首次在8英寸Si衬底上实现了超过8μm的低翘曲GaN外延，成功验证了1200V等级科研小器件电性，关键性能达到国际先进水平，为提升数据中心800V母线供电、工业电机驱动等关键产业的核心元器件自主供应能力奠定了坚实基础。
（集邦化合物半导体整理）
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