作为一种极其重要的III-V族化合物半导体，磷化铟（InP）凭借其优秀的禁带宽度、极高的光电效率以及卓越的导热性，已被广泛应用于光通信、量子点电视、太空光伏等前沿科技领域。近期，磷化铟领域传出重磅新进展，全球首座6英寸磷化铟光子芯片工业晶圆厂在欧洲破土动工；与此同时，2026年中国政府工作报告明确指出发展6G等未来产业，6G等利好驱动之下，磷化铟前景进一步被看好。
01、投资超1.5亿欧元，6英寸磷化铟工厂落子欧洲
近期，一座宣称为“世界首座”的6英寸（150mm）级磷化铟光子芯片工业晶圆厂在荷兰埃因霍温正式动工。这不仅是一座制造厂，更是一条极具战略意义的工业级中试线，旨在大幅加速磷化铟芯片从前沿概念迈向商业化应用的整个流程。
该工厂所生产的6英寸光子晶圆是一种薄薄的圆形晶片，其颠覆性在于，晶片上制造的芯片是利用“光”而非传统的“电”来进行数据的处理与传输。在算力需求呈指数级爆炸的今天，这种高能效的晶圆对于建设节能型人工智能数据中心、部署6G网络、推动医疗创新以及支撑超级计算机的运行都起着至关重要的作用。
该项目的落地汇聚了欧洲顶级的产学研资源，由荷兰主要研究机构TNO、埃因霍温理工大学（TU/e）、PhotonDelta、SMART Photonics以及埃因霍温高科技园区等多方联手合作开展。
在资金注入上，该工厂的投资额超过了1.5亿欧元，并且直接获得了《欧洲芯片法案》的资金资助。按照规划时间表，这座承载厚望的工厂将于2028年实现全面投产。届时，它将具备每年生产多达1万片晶圆以及1000万个光子芯片的庞大产能，光子芯片商业化有望步入发展快车道。
02、6G利好磷化铟，全球厂商加速布局
除了欧洲的大手笔投资，宏观政策的定调与新一代通信技术的演进，正赋予磷化铟不可替代的产业使命。
中国对未来产业的布局正全面提速，2026年政府工作报告中明确提出，要建立未来产业投入增长和风险分担机制，并重点培育发展未来能源、量子科技、具身智能、脑机接口以及6G等极具潜力的未来产业。
作为继5G之后的下一代全球通信技术标准体系，6G被业界广泛誉为万物互联的“引擎”和数字时代的“底座”。未来，6G网络将支持峰值速率达到Tbps级、空口时延低至0.1毫秒，连接密度提升至每平方公里千万级，并通过空天地海一体化架构实现从深海到深空的全域覆盖。
在这一庞大的6G产业帝国中，处于产业链上游基础层的化合物半导体材料（如砷化镓、氮化镓、磷化铟）、太赫兹射频器件等构筑了产业基石。
其中，磷化铟凭借其优异的高频、高速及光电转换等性能，将成为6G通信技术发展的关键材料之一，推动其在太赫兹通信、光电融合、卫星通信及量子技术等领域的创新应用，有望在6G产业发展浪潮下深度受益。
巨大的市场潜能引发了全球范围内的激烈角逐。目前的全球磷化铟厂商主要集中在日本、美国和中国，国际厂商凭借深厚的技术积累依然占据着主导地位。其中，日本住友电工是全球磷化铟衬底市场的龙头，其采用垂直布里奇曼法（VB法）生产，可稳定供应2-6英寸的优质衬底，产品被广泛应用于光通信与射频器件领域，并与全球头部的光模块厂商保持着深度合作。此外，美国AXT、法国的InPact等公司同样占据举足轻重的地位。
面对国际巨头的主导地位，中国国内厂商在国产替代的进程中加速突破，正成为推动全球磷化铟产业发展的核心力量。
其中，云南锗业（持股云南鑫耀）作为国内磷化铟衬底的领军企业，已成功实现6英寸磷化铟衬底的量产，产能规模在国内处于领先地位，且产品已顺利进入国内头部光模块厂商的供应链。
有研新材承担了国家02专项“6英寸磷化铟单晶片制备”项目，其2-4英寸衬底已实现小批量生产，而关键的6英寸衬底已完成技术攻关，具备了快速产业化的能力。
三安光电作为国内化合物半导体IDM龙头，深度布局了磷化铟全产业链，其生产的磷化铟外延片及光芯片产品已实现批量供货，并被应用于800G/1.6T高速光模块中，规模优势与技术迭代能力强劲。
陕西铟杰半导体致力于国产替代，技术团队具备扎实的晶体生长和外延工艺研发能力，产品线覆盖了2-4英寸衬底及外延片，正联合国内机构全力推动磷化铟技术国产化进程。
03、结语
无论是在欧洲斥巨资投建6英寸磷化铟工厂，还是2026年中国政府工作报告将6G列为未来产业重点，都彰显了磷化铟在数字基建中不可替代的战略地位。尽管美日国际厂商目前占据主导，但在国产替代浪潮下，中国企业正凭借技术攻关与产能扩张加速突围。随着6G商用时代的逼近，全球磷化铟产业必将迎来新一轮的爆发与重塑。
（集邦化合物半导 秦妍 整理）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。