3月11日，天成半导体正式宣布，依托自主研发设备成功研制出14英寸碳化硅单晶材料，有效厚度达30㎜，这一突破不仅填补了国内相关领域的技术空白，更标志着我国碳化硅产业在大尺寸材料领域，正式从“12英寸普及”向“14英寸破冰”跨越。
图片来源：天成半导体 图为14英寸碳化硅原生晶锭
事实上，天成的突破并非孤立事件，近期全球国内外多家企业在12英寸、14英寸碳化硅单晶及衬底领域发力，形成多点开花的竞争格局，而这场围绕“尺寸升级”的产业竞赛，背后是全球第三代半导体产业降本增效、抢占高端市场的核心诉求。
碳化硅作为第三代半导体核心材料，其尺寸升级的行业价值不言而喻。相较于当前主流的6英寸、8英寸碳化硅衬底，12英寸及以上大尺寸产品可在同等生产条件下大幅提升芯片有效面积，不仅能降低单位芯片制造成本，更能适配高端功率器件、半导体制造设备部件等场景的需求，是新能源汽车、光伏储能、AI数据中心等领域技术升级的关键支撑。
据行业测算，12英寸碳化硅衬底相较于6英寸产品，单位面积芯片产出可提升3倍以上，综合成本降低40%左右，而14英寸产品的落地，将进一步放大这一优势，推动碳化硅规模化应用进入新阶段。
1、国内多企业梯队化发力大尺寸赛道
在12英寸领域，国内龙头企业与新兴力量齐头并进，形成了多元化竞争格局。
作为此次14英寸突破的主角，天成半导体早已在12英寸领域奠定基础。
2025年，公司已掌握12英寸高纯半绝缘和N型单晶生长双成熟工艺，其中12英寸N型碳化硅单晶有效厚度突破35㎜，此次14英寸产品的研制依托自主研发的碳化硅单晶炉，完成了从粉料制备、单晶生长到材料加工的全自主知识产权闭环，其14英寸产品主要应用于半导体制造设备的碳化硅部件，成功打破日韩欧企业在该领域的垄断格局。
国内碳化硅龙头三安光电近期披露，其12英寸碳化硅衬底已向客户送样验证，同时产线稼动率稳步提升，首代沟槽MOSFET技术平台处于送样阶段，湖南三安生产的主驱逆变器用SiC MOSFET已通过国内头部电动车企验证，成为合格供应商。
烁科晶体作为全球首片12英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底的研制企业，目前正推进年产百万片级碳化硅单晶衬底项目落地。
新兴企业的突破同样亮眼。露笑科技在2026年2月宣布，首次制备出12英寸碳化硅单晶样品，完成从长晶到衬底全流程工艺的开发测试，打破了行业技术壁垒。
海目芯微（海目星激光子公司）则实现了6英寸、8英寸及12英寸全尺寸长晶技术链自主可控，成功研制12英寸碳化硅单晶晶锭，形成了全尺寸覆盖的技术优势。
晶盛机电旗下的晶瑞Super SiC于2025年5月实现12英寸导电型碳化硅单晶生长突破，同年9月12英寸中试线正式通线且核心设备100%国产化，2026年1月更是突破衬底厚度均匀性（TTV）≤1μm的关键指标，为12英寸产品量产奠定了核心基础。
2、海外巨头加速卡位，全球协同推进技术迭代
从全球格局来看，大尺寸碳化硅的“尺寸竞赛”已进入白热化阶段，海外企业也正蓄力突破。
北美企业Wolfspeed作为全球碳化硅领域的先行者，于2026年1月宣布制造出单晶300mm（12英寸）碳化硅晶圆，其300mm平台将兼顾功率电子器件制造与高纯度半绝缘衬底研发。
韩国SK Siltron在美国密歇根州贝城建设的碳化硅晶圆工厂已投入运营，年产量预计达6万片，主要聚焦8英寸产品量产，12英寸产品仍处于研发推进阶段，尚未实现规模化落地。
欧洲企业同样在加速布局，英飞凌启动马来西亚碳化硅晶圆厂，一期项目投资额达20亿欧元，第二阶段建设完成后，该工厂或将成为全球最大的200毫米（8英寸）碳化硅功率半导体晶圆厂，主要生产碳化硅功率半导体及氮化镓外延产品，与奥地利菲拉赫制造基地形成“虚拟协同工厂”，共享技术工艺以实现快速量产。
意法半导体则通过与三安光电合资，布局8英寸碳化硅器件制造，试图依托中国市场优势，加速大尺寸产品的产业化进程。
3、结语
从行业影响来看，大尺寸碳化硅的突破，本质是全球新能源汽车、光伏储能、AI数据中心、高端半导体设备等领域旺盛需求驱动的必然结果。
当前，全球碳化硅市场需求持续攀升，应用场景不断拓展，无论是国内天成半导体、三安光电等企业，还是海外Wolfspeed、英飞凌等巨头，都在全力加速大尺寸碳化硅的技术研发与产能布局，整个产业呈现出欣欣向荣、协同发展的良好态势。
（集邦化合物半导体 林晓 整理）
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