在5月19日举行的2025年度暨2026年第一季度业绩说明会上，天岳先进董事长兼总经理宗艳民披露，得益于行业供需关系持续优化，公司2026年一季度毛利率环比大幅改善25个百分点，核心产品8英寸碳化硅衬底的全球市场占有率已达到51.3%。
宗艳民指出，碳化硅材料的应用逻辑正从单一的电力电子功率器件，向基于其多元物理特性的“多功能应用”转变，在先进封装、微纳光学、超高压电力等领域均已取得实质性突破。
在解读当前碳化硅衬底的供需格局时，宗艳民强调需要按照应用级别分层看待。
车规级市场对“零缺陷、高可靠性、耐高温高压”的要求极为苛刻，全球能够实现高端大尺寸（如8英寸）产品稳定量产和规模化交付的供应商数量较少，因此该领域一直保持供需平衡状态。而非车规级领域则经历了一轮产能出清，缺乏核心技术、规模效应和质量优势的低效产能被加速淘汰，市场份额正快速向具备技术代差和成本控制能力的头部企业集中。
天岳先进凭借技术优势，已与全球前十大功率半导体器件制造商中的过半企业深度绑定，客户验证壁垒与长期黏性持续增强，覆盖新能源汽车、光伏储能、智能电网等传统赛道，竞争优势不断深化。
谈及碳化硅材料的未来应用前景，宗艳民表示，其应用逻辑正在发生根本性转变。
在先进封装领域，碳化硅凭借优异的热导率，能够有效解决高性能芯片的“热管理”难题，可作为大功率芯片的散热基板或封装材料；在微纳光学领域，公司已与光学头部客户合作，在AR/VR及精密光学传感领域实现了初步应用；在超高压电力领域，P型碳化硅衬底在智能电网、特高压直流输电等方向的应用正进入实测阶段。
技术层面，天岳先进已完成从2英寸到12英寸全尺寸产品矩阵的产业化闭环，首创液相法制备无宏观缺陷的8英寸衬底，突破了传统PVT法的局限，公司碳化硅衬底专利数量已位居全球前五。
（集邦化合物半导体整理）
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