第四代半导体领域,签署合作协议

作者 | 发布日期 2026 年 05 月 20 日 17:17 | 分类 半导体产业

近日,第四代半导体氧化镓领域核心龙头企业杭州镓仁半导体有限公司(简称“杭州镓仁”)与山东两极温域新材料有限公司(简称“两极温域”)正式签署深度战略合作协议,签约仪式圆满举行。

作为全球氧化镓产业领军者,杭州镓仁2025年成功研制全球首颗8英寸氧化镓单晶,贯通单晶生长、精密加工及外延制备等关键环节,技术实力位居国际前列。两极温域则深耕氧化锆隔热材料领域,其产品具备高温稳定性强、热场一致性好、热导率极低等优势,已在半导体高温热场领域完成应用验证。

根据协议,双方将共建“材料—热场”协同研发体系,围绕材料研发、热场设计、工艺优化及产业协同等维度展开深度合作。两极温域将从单一热场供应商升级为技术共生伙伴,以一线工艺数据反哺材料研发,针对性解决氧化镓单晶生长过程中的温场适配痛点,助力提升晶体质量与量产稳定性。

氧化镓作为超宽禁带半导体材料,具备高耐压、低损耗等特性,在新能源汽车、光伏储能、智能电网等领域前景广阔。业内认为,随着氧化镓向大尺寸、量产化加速推进,热场与材料的协同创新已成为产业突破关键。

(集邦化合物半导体整理)

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