5月28日，美国普渡大学（Purdue University）官方发布公告，宣布与中国台湾格棋化合物半导体股份有限公司（GeChi Compound Semiconductor Co., GCCS）达成战略合作，聚焦碳化硅（SiC）先进封装领域协同研发，推进微电子技术前沿落地。双方已于5月27日在普渡大学霍德厅（Hovde Hall）签署为期五年的谅解备忘录（MOU），系普渡大学与格棋半导体首次建立合作关系。
本次合作核心目标为攻克制约下一代高性能计算基础设施的散热、供电、6G通信三大关键瓶颈，加速SiC材料商业化进程。
公告指出，伴随AI算力密度持续提升，传统硅基材料已逼近物理极限，SiC衬底技术可直接突破三大硬件壁垒。
散热管理上，依托SiC衬底结合普渡CoWOS、CoPoS平台微通道技术，实现高效散热；电力传输层面，以SiC高压直流输电、固态变压器技术，提升电网至服务器电力转换效率；6G通信领域，为下一代通信核心设备提供SiC材料性能支撑。
双方联合研究将聚焦SiC晶体缺陷控制、材料生长工艺优化，推动技术向8英寸、12英寸高良率SiC晶圆平台升级，推动学术端散热管理、材料特性成果快速转化为规模化商业制造能力。
格棋半导体为中国台湾专业SiC技术供应商，深耕SiC晶体生长领域十余年，专注8英寸、12英寸碳化硅晶圆研发制造，具备规模化生产能力。
普渡大学为美国微电子研究核心机构，依托伯克纳米技术中心（Birck Nanotechnology Center）及Scifres纳米制造实验室，拥有先进学术洁净室与表征设施，为全球半导体技术研发重要枢纽。
此次合作同时涵盖产学研人才培养计划，格棋提供半导体材料供给，普渡承担技术研发枢纽角色，协同构建SiC产业生态。
（集邦化合物半导体整理）
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