CVD-SiC新材料项目公示,总投资额3.6亿元

作者 | 发布日期 2026 年 06 月 04 日 15:05 | 分类 碳化硅SiC

近日,六安经济技术开发区管委会在官方平台发布环评公示信息,安徽四象芯材电子科技有限公司CVD-SiC材料及零部件新建项目进入环境影响评价公众参与公示阶段。

图片来源:网站信息截图

项目选址落户六安经开区六安东都园区运营管理有限公司4号厂房,整体采用厂房租赁模式建设,项目规划分一期、二期分步实施,项目合计总投资额3.6亿元,聚焦CVD法碳化硅基材与配套零部件量产制造。

从项目分期建设明细来看,项目一期规划投入建设资金1.2亿元,产线配置2台CVD-SiC真空炉以及全套配套生产设备,建成投产后设计产能为年产碳化硅材料1.6万片;二期项目规划投资额2.4亿元,在一期基础上新增4台同规格CVD-SiC真空生产设备,二期全部完工达产后可新增年产碳化硅材料3.2万片产能。项目两期工程全部建成投产之后,企业整体碳化硅产品年产能合计可达4.8万片。

依据当地园区公示资料,本次新建项目主营CVD-SiC半导体关键耗材材料及配套零部件产品,相关产品多用于晶圆制造刻蚀环节,属于功率半导体、先进制程芯片生产所需核心耗材品类。

公开产业信息显示,项目建设主体安徽四象芯材关联主体已于合肥高新区布局总部生产基地,该总部项目总投资7.5亿元,主营碳化硅环、硅电极等半导体精密零部件,相关产品已批量导入国内头部存储芯片制造企业供应链,实现国产化批量供货。六安新建CVD-SiC项目为企业异地产能扩充布局,专注上游碳化硅基材量产,与合肥总部零部件加工业务形成上下游配套衔接。

(集邦化合物半导体整理)

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