美国东部时间2026年6月8日，通用电气航空航天（GE Aerospace）与全球碳化硅（SiC）半导体龙头企业Wolfspeed联合宣布签署一项谅解备忘录（MOU）。双方将围绕高压碳化硅技术展开全面的战略协作，旨在共同加速该项前沿技术在工业、航空航天及国防（A&D）市场的商业化落地与大规模普及。
根据签署的备忘录内容，此次合作的核心是Wolfspeed全球首款商用的10千伏碳化硅MOSFET芯片。根据协议，双方计划基于该技术制定高压功率模块的行业标准，应用于固态变压器、工业电气化以及下一代航空航天和国防平台，同时加强供应链韧性。GE 航空航天电气动力总裁 Kris Shepherd 表示，更高电压的功率模块将减少系统串联器件数量，降低复杂度，从而实现更紧凑、高效且可靠的解决方案。
依托这种超高电压的芯片与模块，系统能够显著减少内部所需的串联器件数量，进而降低整体电路复杂度。这将使固态变压器、工业电气化系统以及下一代国防航空航天平台的体积大幅缩减，并显著提升其在极端环境下的运行效率与系统可靠性。
这并非双方的首次技术交集。通用电气航空航天在过去十余年中，一直作为美国防部先进研究计划局（DARPA）高压碳化硅项目的主要承包商，在10kV功率模块的设计与制造领域积累了深厚的技术底蕴。
公开信息显示，通用电气航空航天近期已完成美国军用地面车辆高压电源单元资质认证，第四代碳化硅功率MOSFET器件也已成功演示，在开关速度、能效及耐久性方面实现技术突破。
Wolfspeed则是全球碳化硅晶圆及功率器件的研发与制造巨头，拥有200毫米碳化硅大规模产线，10千伏碳化硅MOSFET芯片为行业首款商用产品。
两家公司在公告中明确指出，此次合作的整体范畴与当前美国政府加快关键技术部署的既定方向高度契合。面对当下暴涨的人工智能（AI）数据中心算力需求，高压碳化硅技术能够有效解决电力输送过程中的损耗瓶颈，大幅缩减数据中心及重工业设施的“投产供电时间”（Time-to-power）。
（集邦化合物半导体整理）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。