近日，天津晶坤科技发展有限公司第三代碳化硅晶体材料及设备研发生产基地项目开工奠基仪式，在京津中关村科技城顺利举办，项目自此全面进入工程建设阶段。
天津晶坤科技为项目专属运营主体，母公司为#北京晶坤新材料。企业是聚焦第三代半导体新材料的高新技术企业，业务涵盖碳化硅原材料合成、晶体研发、专用生产装备制造以及技术配套服务，长期联合北京化工大学开展技术攻关，相关工艺已进入小批量量产阶段，同时在申报工信部国家重点研发计划。项目公司成立于2025年11月，专门承接天津碳化硅产业化基地建设工作。
该项目选址天津市宝坻区京津中关村科技城，总投资额超1亿元。项目将新建生产车间、研发楼宇与配套设施，规划配置粉料合成炉、管式炉、微波除碳设备等各类工业炉体50余台，除量产碳化硅晶体衬底材料外，还可自主研发制造碳化硅长晶专用设备，承接特种结构件加工业务，打通“材料+装备”一体化产业链。
按照建设进度安排，项目于今年4月24日完成签约落地，地方政府同步推进拿地审批，本次奠基之后土建工程正式启动，整体工程计划2027年竣工并投产。项目建成后，可稳定产出6英寸碳化硅衬底产品，达产后年产值预计达到3亿元，产品主要供给新能源汽车、光伏储能、智能电网、5G射频器件等下游市场。
碳化硅是第三代宽禁带半导体核心材料，拥有高击穿电压、耐高温、低损耗等优势，突破了传统硅基器件的物理极限，适配高压大功率电力电子场景。伴随新能源汽车800V高压平台普及、光伏储能与AI数据中心电源建设提速，碳化硅衬底已经成为功率器件产业链紧缺的上游环节。
（集邦化合物半导体整理）
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