据韩国经济财政部门现场发布会实录、《首尔经济日报》7月1日报道，韩国副总理兼经济财政部长官具允哲于7月1日举办的全国政策发布会上，对外公布国家中长期产业增长顶层规划，明确将SiC、GaN宽禁带半导体、小型模块化核电反应堆（SMR）、AI传感器并列为未来十年三大核心增长引擎。
发布会上，韩国政府将SiC/GaN宽禁带功率半导体提升至国家级战略高度，直接定义为继存储芯片之后本国第二大半导体支柱产业。出台该顶层定位的核心背景，在于韩国当前功率器件产业链存在极高对外依赖风险。
公开产业数据显示，韩国整体功率半导体进口依赖度达90%至95%，SiC、GaN等下一代宽禁带器件本土技术自主率仅10%左右，车规级高压SiC器件、工业氮化镓模块基本依靠英飞凌、意法半导体、罗姆等海外厂商供货。
此前海外功率芯片供给紧张阶段，现代、起亚等本土车企曾出现阶段性减产，AI数据中心电源配套、光伏储能设备生产也多次受器件缺货扰动，供应链短板持续制约本国新能源、算力产业发展。
为落地宽禁带半导体支柱产业建设，韩国政府已配套推出“超级创新经济项目”专项研发计划，财政层面单独划拨5000亿韩元专项资金攻关SiC、GaN全链条技术，叠加民间企业配套投入后，项目总规模可达7500亿韩元。
产业落地层面，韩国产业通商资源部已成立专门的下一代功率半导体推进工作组，同步推进釜山、浦项两大功率半导体专业园区现有晶圆产线升级改造，规划新建多条8英寸化合物半导体量产产线，目标2027年实现1200V车规SiC MOSFET批量生产，2030年将宽禁带功率半导体本土技术自主率提升至20%，逐步降低全行业进口依赖。
本次同步列入十年核心增长引擎的另外两大赛道，分别为小型模块化核电反应堆与AI传感器。其中小型模块化反应堆主要用于补齐AI算力集群、工业厂区持续供电缺口，匹配本土海量数据中心扩容带来的电力增量需求；AI传感器被视作人工智能产业的底层感知硬件，韩国当前传感器全球市占率不足5%，与存储芯片的全球领先地位形成明显差距，政府计划同步加大材料、芯片、封装全环节扶持力度。
产业结构层面，韩国半导体长期依靠DRAM、NAND存储芯片单一赛道拉动出口与制造业增长，全球存储市场份额长期稳居首位，但产业结构单一、其他半导体细分环节薄弱的隐患持续凸显。
本次将宽禁带半导体拔高至第二支柱地位，意在打造存储、功率双主线并行的半导体产业格局，对冲存储行业周期性波动风险，同时抓住新能源车800V高压平台、AI服务器高效电源、光伏储能三大增量市场窗口，培育全新出口增长曲线。
政策发布会现场仅披露顶层定位与专项研发资金框架，未对外公布细分产线建设时间表、企业税收补贴细则、上下游配套扶持完整清单。韩国政府表示，后续将在当年6月底前完成SiC/GaN商业化技术路线图定稿，联动三星、SK两大本土半导体龙头，联合本土车企、电网、云服务商构建需求导向型研发体系，打通衬底、外延、器件、封装测试完整本土产业链。
（集邦化合物半导体整理）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。