6月30日，广西新迅达科技集团股份有限公司完成对浙江鑫兴光电半导体有限公司增资扩股，顺利取得标的公司51%股权，相关工商变更手续当日全部办结，新迅达正式成为鑫兴光电控股股东，交易完成后鑫兴光电注册资本提升至1.27亿元，原股东广东鑫诚光电半导体有限公司持有剩余49%股权。
据上市公司后续披露公告，浙江鑫兴光电半导体有限公司未来核心主营业务定位为化合物半导体激光器芯片代工，项目选址浙江长兴经济技术开发区，规划建设华东区域高端半导体激光器芯片智慧工厂，该工厂项目已于近期开工，整体分两期落地，项目总投资规模约10亿元。
其中一期规划投入4.1亿元，建设两条6英寸VCSEL产线，建成后可实现年产2.5万片高端激光器芯片；二期追加投资5.9亿元扩充产线，远期规划形成年流片4万片产能，覆盖砷化镓、磷化铟两大化合物半导体工艺平台，产品包含VCSEL、EEL、高速光通信EML芯片等，适配光模块、3D传感、车载激光雷达等场景需求。
鑫兴光电核心技术团队源自全球化合物半导体代工龙头稳懋体系，具备二十余年砷化镓、磷化铟工艺开发与规模化量产经验。依托合作方佛山现有产线，企业已实现6英寸EEL芯片量产，VCSEL产品预计2026年9月实现量产，高速光芯片样品送样及可靠性验证工作同步推进，长兴新建基地将承接各类激光器芯片规模化代工业务，打造华东地区专业化化合物半导体Foundry平台。
本次增资是新迅达跨界布局光电子半导体制造的重要动作。上市公司原有主营业务聚焦直播电商、锂矿贸易等板块，本次控股鑫兴光电，正式切入国内供给稀缺的激光器芯片代工赛道。受该产业并购消息带动，公司股票6月30日、7月1日连续两日出现大幅上涨，7月1日晚间上市公司发布股票交易异常波动公告，对本次增资事项作出完整说明。
公告明确提示，当前鑫兴光电新建工厂刚启动土建施工，厂房建设、产线设备采购、工艺调试至全面投产仍需要较长周期，预计本次交易不会对公司2026年度营业收入、净利润形成明显贡献。
同时行业层面存在多重客观风险，化合物半导体激光器芯片代工市场长期由海外厂商主导，下游客户产品认证周期长、壁垒高，项目投产后或面临客户拓展不及预期、产能利用率偏低、行业竞争加剧等不确定性因素。
（集邦化合物半导体整理）
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