近日，长虹红星电子氮化硅陶瓷研发团队对外披露，其已实现厚度仅70微米的即烧型氮化硅陶瓷基板批量制备。该厚度刷新了国内超薄氮化硅基板的量产纪录，同时，该产品在弯折测试中可达到120°大角度弯折而不断裂，在一定程度上改变了陶瓷材料“硬脆”的传统印象。
图片来源：微长虹
据行业资料，氮化硅陶瓷厚度降至0.1毫米以后，成型与烧结环节易出现微裂纹和翘曲变形，良率控制难度显著上升。长虹红星电子团队采用晶相调控、超细粉体浆料优化以及成型—烧结一体化协同的技术路线，绕开了传统研磨减薄工艺的局限。
实测数据显示，该基板抗弯强度稳定达到1200MPa，高于行业常规水平；热导率约为85W/m·K，在超薄形态下仍保持较高的导热能力，适用于高功率器件的散热需求。
在制程方面，传统超薄基板多依赖研磨加工实现厚度减薄，材料损耗和制造成本较高。长虹红星电子采用的即烧型一体化成型烧结工艺，省去了研磨环节，缩短了加工流程，同时提升了原料利用率。该产品可适配AI算力芯片、高密度储能变流器、射频模块等对轻量化和可靠性要求较高的封装场景。
从产业角度看，此次70微米基板的量产，意味着国内氮化硅基板在制程能力上进一步接近国际主流水平。长虹红星电子通过自主技术路径，在先进陶瓷封装基材环节形成了一定的本土化供应能力，有助于完善国内电子陶瓷封装产业链。
据企业方面介绍，后续其将继续在先进电子陶瓷领域进行技术迭代，推动更高性能基板产品的开发与应用。
（集邦化合物半导体整理）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。