据科创板日报报道，近日，星钥半导体（武汉）有限公司完成数亿元新一轮股权融资，本轮融资由鼎晖投资独家投资。
星钥半导体2022年成立，核心路线聚焦大尺寸硅基氮化镓（GaN-on-Silicon），并结合混合键合技术开发Micro LED芯片。公司在武汉打造国内首条8英寸硅基氮化镓Micro LED全流程中试产线，产线已顺利通线，现阶段实现单色Micro LED芯片批量生产。该产线打通氮化镓外延生长、芯片制备、晶圆键合等整套工序，验证了8英寸硅基氮化镓平台用于光电器件制造的可行性。
硅基氮化镓是第三代半导体重要技术路线。相较于碳化硅基氮化镓、蓝宝石基氮化镓方案，GaN-on-Si最大优势在于能够复用成熟8英寸硅晶圆制造体系，晶圆尺寸更大、原材料成本更低，具备大规模商业化降本潜力。传统蓝宝石衬底氮化镓多用于常规LED制造，但受限于晶圆尺寸与集成难度，较难适配下一代光电异质集成需求；碳化硅基氮化镓性能上限更高，但衬底价格昂贵，难以大规模普及。
长期以来，国内硅基氮化镓产业化重心集中在功率器件与射频芯片。随着产业探索持续深入，行业开始尝试将这套材料工艺延伸至光电器件领域。依托硅衬底可与CMOS驱动电路进行晶圆级混合键合的特性，硅基氮化镓被视作Micro LED近眼显示方案重要突破口，有望解决传统路线巨量转移难度高、集成成本居高不下的行业痛点。
当前全球氮化镓产业处于多元应用扩张阶段。功率氮化镓已经在快充、服务器电源、车载电源实现规模上量；射频氮化镓持续向通信基站、卫星终端渗透。与此同时，产业界持续拓宽氮化镓应用边界，探索“硅基氮化镓+混合集成”路线在光电芯片的落地。多家国内企业布局8英寸硅基氮化镓中试平台，试图打通电、光两条应用赛道，最大化释放产线价值。
不过8英寸硅基氮化镓仍面临不少工程难题。硅与氮化镓之间天然存在晶格失配、热失配问题，容易造成外延层翘曲、裂纹，影响外延片良率；晶圆级混合键合对平整度、应力控制提出严苛要求，相关工艺仍处于持续优化阶段。
（集邦化合物半导体整理）
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