近日，杭州镓仁半导体的高质量氧化镓衬底产品，实现对德国头部企业NextGO.Epi的稳定批量供应，双方合作正式进入长期常态化采购阶段。
图片来源：镓仁半导体
从企业合作细节来看，#镓仁半导体 与NextGO.Epi的合作布局已久，双方于2025年5月签订全球战略合作协议。协议落地后，相关产品历经多轮严苛的性能检测、外延工艺适配及稳定性验证，凭借稳定的产品品质与批量交付能力，成功通过客户认证，最终达成持续批量供货的合作模式。
作为欧洲氧化镓外延与器件研发领域的标杆企业，NextGO.Epi深耕前沿外延工艺技术，手握多项核心国际专利，长期联动欧洲高校开展技术研发，在行业内具备极高的技术权威性。
镓仁半导体依托自研铸造法氧化镓长晶技术，摆脱主流导模法对贵金属铱坩埚的重度依赖，大幅降低衬底生产成本并提升产能上限。
氧化镓是当下第四代超宽禁带半导体的核心赛道，也是全球半导体产业换道超车的关键领域。相较于碳化硅、氮化镓等成熟宽禁带材料，氧化镓拥有更优异的击穿场强、更低的导通损耗，适配超高压电网储能、新能源高压快充、高端工业控制、深紫外探测等高端场景，市场应用前景广阔。
随着全球功率半导体向高压化、高效化迭代，传统硅基、碳化硅器件已逐步触及性能天花板，氧化镓产业的商业化落地节奏持续加快，成为全球半导体企业重点布局的前沿方向。
行业整体需求端的爆发，进一步助推国产氧化镓产业崛起。当前全球新能源、高端装备、智能电网产业高速发展，市场对低损耗、高耐压功率器件的需求持续攀升，海外市场对多元化、高性价比的氧化镓衬底替代需求旺盛。
（集邦化合物半导体整理）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。