7月23日，纳微半导体与韩国MagnaChip（美格纳半导体）联合官宣达成碳化硅技术战略授权合作，纳微向后者授予第四代、第五代GeneSiC™碳化硅完整专利与架构使用权，帮助MagnaChip正式切入高压、超高压碳化硅功率器件赛道。
根据双方协议条款，本次授权核心为纳微自研沟槽辅助平面（TAP）专利架构，覆盖电压等级包含1200V、2300V、3300V及以上超高压规格，对应第四代与第五代两代GeneSiC平台全部工艺专利、器件设计方案。除技术本身外，纳微同步开放自身碳化硅供应链、材料生态体系资源，支撑MagnaChip快速完成技术移植、晶圆工艺验证与产线内部化落地，产品将在其韩国本土工厂完成流片制造。
公开技术资料显示，第五代GeneSiC依托TAP架构融合平面结构可靠性与沟槽结构导通损耗优势，1200V产品品质因数较上代提升35%，开关损耗、导通损耗同步优化，适配AI服务器高压电源、储能变流器、电网固态变压器、工业传动、新能源车车载功率单元等大功率场景，也是当前纳微布局算力基础设施供电方案的主力器件平台。
MagnaChip作为韩国老牌模拟与功率半导体厂商，过往主营显示驱动、电源管理IC，此前并无自研碳化硅MOSFET能力。通过本次专利授权，企业无需长期投入前端技术研发，即可快速推出自主品牌高压SiC产品，主攻韩国本土储能电站、电网基建、工业设备、新能源汽车市场，补齐第三代半导体产品矩阵短板。双方同时提及，本次仅为首期合作，后续还将探索氮化镓等宽禁带器件更多协同空间，具体内容另行公布。
从商业模式来看，此次专利授权是纳微半导体技术变现与生态扩张的重要落地动作。在自有器件销售之外，通过向海外成熟IDM厂商输出SiC核心专利，收取授权费用并扩大GeneSiC技术全球渗透率；同时借助MagnaChip本土制造与客户渠道，进一步渗透韩国电力能源与车载功率半导体市场。
（集邦化合物半导体整理）
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