9月1日，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”）宣布推出多款全新自主研发的高端微观加工设备，覆盖极高深宽比刻蚀、等离子体增强化学气相沉积、原子层沉积、金属薄膜沉积及碳化硅外延等关键赛道。
图片来源：中微公司
其中，PRISMO PDS8®是中微公司面向碳化硅外延工艺推出的新型高温生长设备。该设备基于公司在氮化镓外延MOCVD领域多年的技术积淀，并深度融合了市场与客户需求。硬件方面，设备最多可配置四个反应腔，支持四片8英寸外延片同时加工。其垂直反应器采用自主知识产权设计，兼具优异的厚度和掺杂均匀性与长维护周期；符合SEMI标准的片盒到片盒传送系统，兼顾了高可靠性运行与低颗粒污染物控制。在工艺控制层面，设备集成实时温度监测系统与基于模型的高精度温控算法，可实现外延生长温度的精准调控。
其他高端设备还包括：
全新推出的Primo XD-RIE™70到90比1极高深宽比刻蚀机，依托完全自主知识产权研发打造，在多项有专利保护的核心技术上实现突破，适配先进存储芯片的高端制造需求。
四款薄膜沉积设备齐发，其中Performo QuaStar®是中微公司全新研发的先进PECVD系列设备；Performo QuaStar® GE，则将视野扩展至存储与逻辑芯片制造中广泛使用的硅基PECVD介质薄膜品类，涵盖氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳化硅等多种材料体系；Prefima Unicore™ AM是中微公司自主研发的12英寸原子层沉积金属钼设备；Preforma Uniflash®金属硅化物集成系统，是中微公司面向12英寸先进节点自主研发的一体化薄膜沉积系统。
发布会上，中微公司介绍，自2004年成立以来，中微公司已开发出54种高端半导体设备，包括26种等离子体刻蚀机和24种各类薄膜设备、化学机械抛光设备和部分量检测设备，累计超过8800个反应台在国内外220余条生产线上实现量产。
（集邦化合物半导体整理）
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