9月16日，香港特区行政长官李家超公布《香港特别行政区经济和社会发展第一个五年规划（2026—2030年）》。
李家超在发布会上表示，香港将积极推进建设首个在港国家制造业创新中心。该创新中心将依托香港区位优势，汇聚内地与海外资源，助力国家在功率半导体战略领域取得领先地位。创新中心由香港微电子研发院牵头营运，依托现有基础，选址于微电子中心大楼，目标于2027年成立。
根据规划文件，该创新中心聚焦面向极端环境应用的新一代功率半导体技术、工艺、芯片、器件及相关设备，将集聚产业链上下游企业，搭建微电子产业生态。香港特区政府已预留约2.2亿港元用于该创新中心建设。
香港微电子研发院于2024年9月成立，项目总获批资金28.4亿港元，其中24.78亿港元用于搭建两条8英寸第三代半导体中试线，分别针对碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）功率器件开展研发与试产，落地于元朗微电子中心大楼。中试线面向企业、科研机构开放，提供器件原型制作、测试与认证服务。
企业项目方面，杰立方半导体（J2 Semiconductor）在香港科技园规划建设香港首座8英寸碳化硅晶圆制造项目，项目总投资约69亿港元。项目计划2026年投产，规划2028年达成年产24万片8英寸SiC晶圆产能，产品面向新能源车、充电桩、储能、智能电网等功率半导体应用场景。该项目获得香港“新型工业加速计划”资助。
在外延材料环节，MassPhoton在香港科技园建设香港首套超高真空氮化镓外延片中试产线，项目投资不少于2亿港元，搭建GaN外延工艺研发平台。东微电子落地元朗创新园，建设半导体前端设备研发及生产基地，配套支撑本地微电子产线设备需求。
本次五年规划同时提出多项创科产业配套举措，计划推出创科产业引导基金以及创科创投基金优化计划，引导资本投向半导体、人工智能与机器人、生命健康科技、新能源新材料等战略性新兴产业。规划设定目标，到2030年，香港本地创新活动总开支占本地生产总值比重提升至3%，制造及新型工业产业增加值占GDP比重提升至5.5%。
（集邦化合物半导体整理）
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