随着AI大模型与高性能计算（HPC）的规模持续膨胀，数据中心内部的数据传输正面临传输距离、带宽密度和每比特能耗的三重挑战。在近日举行的OCP 2026全球峰会上，英特尔对外展示了其在硅光子领域的最新量产能力，试图以更大尺寸的晶圆制造，来突破下一代光互连的产能与能效瓶颈。
01、打破150毫米局限，将InP推向300毫米晶圆
长期以来，磷化铟（InP）衬底受制于材料和工艺难度，常规尺寸一直停留在150毫米（6英寸）级别，与硅基CMOS主流的300毫米（12英寸）标准存在明显的代差。这一尺寸落差直接限制了光芯片单次流片的产出数量和制造成本。
在本次峰会上，#英特尔 宣称自己是目前全球唯一能够为整个行业大规模供应12英寸（300毫米）InP硅光子晶圆的高量产晶圆厂。英特尔数据中心系统与解决方案业务企业副总裁Nic Dubé指出，通过将InP光源技术与300毫米硅晶圆制程相整合，英特尔不仅大幅拉高了单晶圆的产出效率，也为后续的规模化量产和成本下降奠定了基础。
02、出货量与可靠性数据的双重支撑
“唯一”的底气不仅来自尺寸的突破，更来自其长期积累的商业化数据。英特尔方面将硅光子称为下一代系统的“黄金之锤”，旨在用这一技术一并解决电互连面临的物理约束。
在集成激光器的可靠性这一关键环节，英特尔公布了其自2016年商用以来的部署成绩：累计出货超过800万个光收发器和3200万个集成激光器。测试数据显示，其混合激光器的失效率低于0.1 FIT，并且已基于超过600万个现场部署激光器的三年实际运行数据，完成了可靠性验证。对于要求长周期不间断运行的AI数据中心而言，这无疑是重要的信任背书。
03、瞄准NPO与CPO，设定5 pJ/bit能效目标
在应用落地层面，英特尔的硅光方案正瞄准AI集群的两大核心架构：近封装光学（NPO）与共封装光学（CPO）。前者作为过渡方案将光引擎置于芯片旁的电路板上，后者则将光引擎与交换芯片、GPU等直接封装，以实现更高的带宽密度。
在能效指标上，英特尔给出了明确的预期：将光子系统每比特的能耗降至5皮焦耳（pJ）以下。此外，英特尔还透露了其作为晶圆代工厂的生态策略，即推动外部光源的社区标准建设，让更多光模块厂商能够获得由美国本土晶圆厂供应的多波长光源。
从150毫米的行业惯例跨越至300毫米规模量产，英特尔正在尝试将光互连从“实验室前沿”转化为具备成熟产能的“代工服务”。在AI算力互连需求持续井喷的背景下，这一制造能力的开放，或将对下一代计算系统的架构设计产生实质性影响。
（集邦化合物半导体整理）
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