英飞凌与英伟达,扩大GaN供电合作

作者 | 发布日期 2026 年 10 月 22 日 19:08 | 分类 氮化镓GaN

10月21日,英飞凌在英伟达柏林GTC开发者大会期间对外宣布,深化与英伟达在AI数据中心供电领域的合作,双方将基于氮化镓(GaN)功率器件,共同开发适配800伏直流(800V DC)架构的高压中间总线转换器(IBC)方案。本次合作是双方自2025年启动800V DC供电项目后的延伸扩容,重点面向高功率AI机架的电源转换链路,同步支持服务器机架热插拔维护能力。

本次合作的核心开发载体为高压中间总线转换器,该器件是AI数据中心供电路径中的关键转换环节。英飞凌将依托CoolGaN氮化镓产品线,覆盖800V转向50V、800V转向12V等多组转换规格,采用高频开关方案完成电源变换,服务英伟达MGX AI Factory开放式模块化参考架构。这套供电架构规划面向单机架最高1兆瓦功耗的AI算力设备,计划从2027年起逐步落地部署。

按照公开披露信息,英飞凌与英伟达关于800V直流数据中心供电的合作最早于2025年5月对外公布,早期方案同时覆盖碳化硅与氮化镓两条技术路线。本次更新的合作内容,进一步锁定氮化镓路线用于中间总线转换环节。方案设计目标为提升电源转换功率密度,降低电力链路损耗,减少配套散热硬件需求,在机架保持正常运行的前提下,支持服务器主板受控预充电、放电与带电更换操作,降低数据中心停机维护带来的业务中断风险。

英飞凌相关负责人在大会交流中表示,AI算力需求正在重塑数据中心电力基础设施的设计标准,宽禁带半导体是支撑新一代高压直流供电体系落地的核心器件。除氮化镓中间总线转换器之外,英飞凌同时向英伟达800V DC生态提供碳化硅器件、电源保护器件等配套功率产品,覆盖从电网到算力芯片的完整供电链路。

英伟达推动的800V DC架构,旨在简化传统数据中心多阶交直流转换流程,减少转换节点与配套元器件数量。该生态已经汇集多家电源芯片厂商、电源整机厂商、数据中心基础设施服务商共同参与开发。英飞凌是该生态内同时布局碳化硅、氮化镓、硅基功率器件的供应商之一。本次GaN方案的合作扩容,是生态链条针对高压转换环节的一次定向推进。

(集邦化合物半导体整理)

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