12月10日上午，科友半导体承担的“8英寸碳化硅（SiC）衬底材料装备开发及产业化工艺研究”项目阶段验收评审会在哈尔滨市松北区召开。评审专家组认为，科友半导体圆满完成了计划任务书2023年度阶段任务，成功获得了8英寸SiC单晶生长的新技术和新工艺，建立了SiC衬底生产的工艺流程，制定了相关工艺流程的作业指导书，一致同意项目通过阶段验收评审。
据悉，“8英寸SiC衬底材料装备开发及产业化工艺研究”项目旨在推动8英寸SiC装备国产化和SiC衬底产业化，获得高性能8英寸SiC长晶装备和低缺陷SiC衬底，具备批量制备能力并形成自主知识产权。
资料显示，科友半导体成立于2018年5月，专注于半导体装备研发、衬底制造、器件设计、技术转移和科研成果转化。科友半导体致力于实现SiC从原材料提纯-装备制造-晶体生长-衬底加工-外延晶圆的材料端全产业链闭合，成为第三代半导体关键材料和高端装备主要供应商。
近年来，科友半导体8英寸SiC衬底材料研发处于稳步推进当中。2022年底，科友半导体通过自主设计制造的电阻长晶炉产出直径超过8英寸的SiC单晶，晶体表面光滑无缺陷，最大直径超过204mm。这是科友半导体继2022年10月在6英寸SiC晶体厚度上实现40mm突破后，在SiC晶体生长尺寸和衬底尺寸上取得的又一次重大突破。
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随后在2023年2月14日举办的宽禁带半导体材料技术成果鉴定会上，科友半导体“8英寸SiC长晶设备及工艺”通过中国电子学会科技成果鉴定；4月，科友半导体8英寸SiC中试线正式贯通；9月，科友半导体首批自产8英寸SiC衬底成功下线，至此，科友半导体已初步具备8英寸SiC衬底量产能力。
据介绍，科友半导体通过提高原料及气相组分比例稳定性、维持长期生长的稳定温场和浓度场条件、调控晶体生长速率和均匀性，实现了高厚度、低应力6/8英寸SiC晶体稳定制备，在6英寸晶体厚度超过40mm的基础上，8英寸晶体直径超过210mm，厚度目前稳定在15mm以上。
在进行技术研发的同时，科友半导体同步推进产能建设。目前，科友半导体第三代半导体产学研聚集区一期工程已投入生产，达产后可年产10万片6英寸SiC衬底；二期工程也已开工，建成后将实现年产导电型SiC衬底15万片。按照发展规划，未来两年科友半导体将实现年产20万片-30万片SiC衬底产能。（集邦化合物半导体Zac整理）
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