国内高性能碳化硅（SiC）模块厂商无锡利普思半导体有限公司（以下简称“利普思”）近日完成亿元级PreB+轮融资，新投资方为扬州国金、扬州龙投资本。
利普思将资金用于在扬州投建总投资10亿元的专业化车规级SiC模块封装测试基地，规划年产能300万只，一期产线预计2026年竣工、2027年3月投产。新基地将按高端车规标准打造独立SiC产线，采用全自动化流水线，支持新一代嵌入式封装及定制化开发，目标2027年实现年交付超200万只模块，助力电网与AI算力基建提速。
利普思成立于2019年，专注第三代功率半导体SiC模块研发与生产。目前，公司产品覆盖IGBT和SiC两大系列，应用场景包括新能源汽车主驱、电动重卡、储能、电网高压SVG、超充及工业电源等。无锡工厂于2022年投产，年产能约70万只。
市场布局方面，利普思2020年在日本设立全资子公司作为海外研发中心，拥有多位日本籍资深技术专家，同时在欧洲设立销售服务中心，以强化本地化方案解决能力。目前利普思产品已出口超过20个国家，2025年，公司海外销售占比已接近一半。
据悉，利普思1200V-3300V多款SiC模块已进入国内外客户SST样品测试阶段，部分项目处于可靠性验证期，预计2027年有望规模化放量。
（集邦化合物半导体整理）
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