宏光半导体的氮化镓（GaN）业务再获资本支持。10月29日，公司公告称，投资人池州恒创领航创业投资基金以现金8000万元向#深圳镓宏半导体 增资，认购其新注册资本133.81万美元，占增资后总注册资本的约6.9085%。增资完成后，深圳镓宏注册资本增至约1937万美元，宏光半导体持股比例由73.28%摊薄至约68.2125%，仍保持控股地位。
图片来源：宏光半导体公告截图
此次增资所得款项，连同集团自筹的2000万元，将专项用于池州模组封装生产线项目及GaN芯片项目。值得注意的是，资金投向背后是一项产能布局的调整：宏光半导体计划将模组封装工厂从徐州搬迁至池州。公司表示，此举旨在对接长三角半导体产业集群，进一步优化成本结构并缩短供应链交付周期。池州恒创领航的入局，也为深圳镓宏及江苏镓宏半导体的后续发展引入了地方产业资本。
封装环节的搬迁，建立在其上游制造能力已经成型的基础之上。深圳镓宏的主要资产为江苏镓宏半导体（原徐州金沙江半导体），后者是宏光GaN业务的核心制造实体，具备GaN功率芯片及射频外延片的研发与晶圆代工能力。宏光半导体自2021年起通过镓宏布局GaN，徐州工厂的外延片生产线与芯片器件生产线已分别于2024年年中及年末完成调试。2025年，其中一条产线通过生产测试，公司由此成为GaN外延片的认可供应商，开始量产并批量付运6英寸GaN外延片。
为扩大产出，宏光半导体已增购MOCVD设备。新设备的导入使徐州工厂具备了8英寸外延片的生产能力，外延及晶圆产能扩充至每月2000片。目前，徐州工厂以IDM模式运作，覆盖从半导体材料生产到芯片和器件制造，再到模块封装与测试的全流程。
将封装环节迁至池州，意味着宏光GaN业务的产能配置正在经历一次空间上的重新划分：徐州保留并强化前道的外延与晶圆制造能力，池州则承接后道模组封装，形成“徐州制造、池州封装”的产业链分工。这一调整能否在扩大GaN产品产能的同时如期兑现成本优化与交付提速，将取决于池州产线的建设进度，以及两地工厂在工艺衔接与供应链协同上的实际效率。
（集邦化合物半导体整理）
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