在全球科技加速向清洁能源与智能化转型的浪潮中，功率半导体市场正迎来新一轮技术革新与产业变革。作为行业领军者，东芝电子元件近期动作频频，在碳化硅（SiC）、IGBT等领域持续深耕并取得显著成果后，又将战略目光投向了氮化镓（GaN）这一极具潜力的新兴领域。
东芝电子元件将进军氮化镓市场
近期，外媒报道东芝电子元件计划今年进军氮化镓市场，瞄准电力系统与人工智能数据中心等新兴需求。
东芝电子元件预计2026年推出“常关型”产品，以简化驱动设计，提升易用性。为支持上述战略，东芝计划在2024至2026财年投入约1000亿日元用于半导体设备投资，包括维护与升级生产设备。未来，该公司将重点拓展电动车车载充电器与AI服务器电源市场。
资料显示，作为#功率半导体 大厂，东芝电子元件公司凭借在半导体等领域的深厚技术积累，持续为电力能源行业提供高效可靠的解决方案，其功率半导体产品兼具高功率密度与质量稳定性，通过提升功率转换效率，为减少环境负荷做出了贡献。其中，SiC MOSFET兼具低导通电阻与高可靠性，而IGBT则具有大电流与高可靠性，两者均拥有丰富的市场应用案例。
今年8月，东芝电子元件宣布与基本半导体就功率模块产品正式签署战略合作协议。9月2025 PCIM Asia展会期间，东芝与基本半导体通过联合展台，共同展示了双方在碳化硅领域深度合作的最新产品与解决方案。
图片来源：东芝半导体芯资讯
凭借东芝先进的碳化硅MOSFET、IGBT芯片、功率模块设计和封测技术，基本半导体与其联合开发了Pcore™2 E2B、Pcore™2 L3工业级全碳化硅功率模块及Pcore™6 E3B混碳功率模块等产品。该系列产品采用了双方的SiC MOSFET和东芝的RC-IGBT芯片技术，而模块封装方面采用高可靠的氮化硅陶瓷（Si3N4）基板、Press-Fit压接工艺，铜底板散热结构等技术，在导通电阻、开关损耗、杂散电感、可靠性等方面表现出色，可应用于APF、PCS、DC/DC变换器、大功率充电桩、固态断路器、矩阵变换器和电池功化成等领域应用。
氮化镓未来潜力无限
在碳化硅、IGBT等领域深耕之后，此次东芝电子元件又将目光瞄准氮化镓，有望借此进一步打开电力系统与人工智能数据中心等新兴需求领域。
业界指出，随着全球对清洁能源的追求以及智能电网建设的加速推进，电力系统对于高效、可靠的功率半导体元件需求与日俱增。氮化镓凭借其出色的高频、高效特性，能够在电力转换和传输过程中显著降低能量损耗，提高系统的整体效率，正好契合了电力系统升级换代的需求。
而在人工智能领域，随着数据爆炸式增长以及计算任务的日益复杂，数据中心的能耗问题愈发突出。氮化镓器件可以应用于数据中心的电源供应系统，实现更高的功率密度和更低的能耗，帮助数据中心降低运营成本，同时满足绿色环保的发展趋势。
以AI服务器电源为例，传统硅基半导体在应对AI服务器高功率密度需求时逐渐力不从心。单台机架式AI服务器峰值功耗已突破千瓦，GPU功耗逼近2kW，传统电源方案在效率、体积和散热方面难以满足要求。氮化镓的出现为这一难题提供了解决方案。氮化镓电子迁移率是硅的10倍，可支持MHz级高频开关，动态损耗降低70%，在相同功率下导通电阻仅为硅基器件的1/5，发热量减少50%。这些特性使氮化镓有望成为AI服务器电源领域的核心材料，为数据中心绿色低碳转型提供关键支撑。
总而言之，电力系统与人工智能数据中心这两个领域正处于快速发展阶段，市场规模持续扩大，有望为东芝的氮化镓产品提供了广阔的市场空间和巨大的发展潜力。
（集邦化合物半导体 秦妍 整理）
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