在近期召开的国际碳化硅及相关材料会议（ICSCRM） 上，国内厂商天科合达全球首次公开发布了8英寸低电阻碳化硅衬底。
图片来源：天科合达
据悉，该低电阻衬底可将电阻率控制在7-12mΩ·cm范围内，仅为常规N型衬底电阻率的一半。层错缺陷控制是低电阻产品研发中的关键挑战，天科合达科研团队经过持续技术攻关，成功解决了低电阻率条件下层错缺陷密度过高的行业难题。低电阻率衬底是充分释放碳化硅功率器件性能潜力的关键技术之一。
据研究人员测算，衬底电阻每降低1mΩ·cm，器件导通电阻可相应降低2–4%，从而显著减少大电流应用中的能量损耗，为800V电驱系统、高压快充、轨道交通、智能电网等高端应用场景提供坚实支撑。天科合达将率先在全球范围内推动该低电阻衬底的送样工作，助力客户提升产品性能。
天科合达表示，公司不仅全球首发了#8英寸低电阻导电衬底，而且还在8英寸100微米厚外延片和12英寸晶体生长技术上取得了并行突破。此外，公司碳化硅衬底累计销量突破100万片，成就全球市场重要里程碑。
（集邦化合物半导体整理）
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