近期，氮化镓半导体领域发展势头强劲，山东镓数智能科技有限公司与东部高科DB HiTek分别传来重要消息。山东镓数氮化镓单晶衬底项目全面达产，在产能建设与市场拓展方面成果显著；与此同时，东部高科650V GaN HEMT工艺开发进入最终阶段，并计划推出专属氮化镓多项目晶圆项目，同时积极完善产能建设，两大动态为氮化镓产业注入新活力。
山东镓数氮化镓单晶衬底项目全面达产
近期，山东镓数智能科技有限公司的氮化镓单晶衬底项目已全面达产，该公司总经理梁如俭介绍道，该项目规划50条生产线，年产量可达10万片氮化镓单晶衬底。
上述项目位于临沂电创产业园，主要生产高亮度、高结晶质量的2英寸GaN衬底，2024年规模化投产，2025年5月开始试产冲刺，截至目前已建设10条国际领先的生产线。
该项目曾以亩均税收50万元、年产值2.3亿元的经济效益荣获临沂市2024年度“十大好项目”，产品已于今年6月进入中科院采购目录，并已形成订单。
另据山东镓数董事马赛赛表示，公司HVPE设备已实现三片同时生长，已具备六片生长的技术储备，且可以生长出大尺寸的单晶衬底晶片。
东部高科：将推出专属氮化镓多项目晶圆（MPW）项目
近期，外媒报道，东部高科DB HiTek宣布，公司650VGaN HEMT工艺开发已进入最终阶段，计划于10月底推出专属氮化镓多项目晶圆（MPW）项目。
与传统硅基功率器件相比，氮化镓半导体在高压、高频及高温工作环境下具备卓越性能，功率效率出众。特别是650V增强型氮化镓HEMT，凭借其高速开关性能与稳健的运行稳定性，成为电动汽车充电设施、超大规模数据中心电源转换系统及先进5G网络设备的理想选择。
据悉，完成650V工艺开发后，DB HiTek还计划在2026年底前推出200V GaN工艺及针对集成电路优化的650V GaN工艺，并逐步拓展更广泛的电压范围。
东部高科负责人透露，“通过新增氮化镓工艺能力，我们将以更广泛的技术组合增强市场竞争力。”
为支持以上举措，东部高科还在进一步完善产能建设。媒体报道，东部高科韩国忠清北道Fab2洁净室设施正在扩建，预计每月将新增约3.5万片8英寸晶圆产能，用于氮化镓、BCDMOS和碳化硅工艺的生产。扩建完成后，DB HiTek的晶圆月总产能将提升23%，从15.4万片增至19万片。
（集邦化合物半导体 Flora 整理）
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