4月9日，英特尔代工服务宣布实现重大技术突破，成功研发出全球最薄氮化镓（GaN）芯粒，其基底硅片厚度仅19微米，约为人类头发丝直径的1/5。
该芯粒基于300毫米（12英寸）标准硅基氮化镓晶圆制造，采用英特尔自研的隐切减薄工艺实现超薄片化，在极致轻薄的同时，保障了结构完整性与性能稳定性。
更关键的是，团队首次实现氮化镓功率晶体管与硅基数字逻辑电路的单片集成，将复杂计算功能直接嵌入电源芯粒，无需额外搭配独立辅助芯片，大幅简化系统架构并降低组件间能量损耗。
性能测试显示，这款芯粒中的氮化镓晶体管可承受78伏耐压，射频截止频率超过300吉赫兹，能满足高频通信场景需求；集成的数字电路库运行稳定，反相器开关速度仅33皮秒，且全晶圆范围内表现一致，具备大规模量产潜力。经四项行业标准可靠性测试验证，该技术可应对高温、高压等实际应用场景，符合商用落地要求。
传统硅基技术在高功率、高频场景下已逐渐逼近物理极限，而氮化镓作为宽禁带半导体，具备更高功率密度、更快开关速度和更低能耗的优势。
英特尔通过300毫米硅基氮化镓晶圆工艺，可兼容现有半导体制造基础设施，有望显著降低量产成本，推动技术普及。
（集邦化合物半导体整理）
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