近两年来，碳化硅（SiC）设备、材料厂商科友半导体呈现出较为快速的发展势头，在大尺寸SiC单晶、衬底生产与业务拓展方面持续传来好消息。近日，该公司又公布了一项重要突破。
5月29日，科友半导体宣布，公司自主研发的电阻长晶炉成功制备出多颗中心厚度超过80mm、薄点厚度超过60mm的导电型6英寸SiC单晶，据称这是国内首次报道和展示厚度超过60mm的SiC原生锭毛坯，厚度是目前业内主流晶体厚度的3倍，单片成本较原来降低70%，由于单颗晶体的出片率大幅提升，意味着企业盈利能力翻了三倍。
来源：科友半导体
关于SiC单晶的制备方法，科友半导体结合了物理气相传输（PVT）法和溶液法，具体是基于自研电阻炉，通过借鉴溶液法的部分理念，破除了溶液法才能生长高厚度晶体的限制，充分利用了PVT法单晶稳定生长的优势，成功融合两种方法的优势，制备出表面光滑、无明显缺陷的晶体。
科友半导体表示，本次大厚度晶体的成功制备标志着其突破了大厚度SiC单晶生长的关键技术难题，向大尺寸SiC衬底低成本量产迈出了坚实一步，同时也反映了电阻加热式长晶炉在替代传统感应炉、推动衬底成本持续降低方面的巨大潜力。
据了解，科友半导体自主研发高端装备，拥有材料端从原材料提纯-装备制造-晶体生长-衬底加工-外延晶圆的材料端全产业链闭合，致力于探索提高衬底品质与良率、推动衬底成本下降的创新方法，助力实现大尺寸SiC衬底的低成本量产和应用。
目前，科友半导体已经是国产8英寸SiC衬底主力军的一员，其在去年便实现首批自研8英寸SiC衬底的成功下线，承担的8英寸碳化硅（SiC）衬底材料装备开发及产业化工艺研究项目也通过了中期验收，8英寸相关研究和生产工作顺利推进。
而在取得本次突破之前，科友半导体刚于4月初宣布与俄罗斯N公司在就开展“8英寸SiC完美籽晶”项目达成战略合作。
在本次合作中，科友半导体将借此研发“无微管、低位错”完美籽晶，并基于品质优异的籽晶进行晶体生长，带动8英寸SiC晶体内部微管、位错等缺陷密度的大幅降低，从而提高晶体生长的质量和良率，并推动SiC长晶炉体及工艺技术的优化与升级。值得注意的是，科友半导体8英寸SiC中试线平均长晶良率此前已突破50%，晶体厚度15mm以上。
业务开拓方面，科友半导体今年与欧洲一家国际知名企业签订了长单，签约额超过2亿元人民币，衬底业务顺利推进。为了满足SiC衬底市场的需求，科友半导体也在积极建设产能，其SiC衬底生产线现处于产能爬坡中，经过加工生产线设备调试，已实现6英寸衬底年产能5万片，8英寸衬底年产能约5000片的生产能力。
未来，随着技术的持续突破以及产能的逐步释放，科友半导体在SiC衬底市场的市占率和影响力有望进一步提升。（集邦化合物半导体Jenny整理）
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