近期，国内碳化硅厂商方正微电子、士兰微电子最新产品动态曝光。
1、方正微电子发布第二代车规主驱SiC MOS产品
近期，方正微电子正式发布第二代车规主驱SiC MOS 1200V 13mΩ产品，在第一代的高可靠基础上，进一步提升性能，缩小Die size，提升FOM值，实现了在行业主流芯片面积需求条件下性能提升，可靠性3倍于行业通用认证要求：高导通电阻（13mΩ）、高击穿电压（>1500V）、高阈值电压（3V）、高可靠性（＞3000小时）以及可支持1000VDC电驱系统”等特点。
source：方正微电子
方正微电子介绍，第二代车规主驱SiC MOS对标行业头部友商最新的第四代车规主驱产品。此外，公司车规主驱第一代SiC MOS已大规模上车，预计2025年将实现上乘用车主驱几十万辆车的新跨越。方正微电子车规/工规SiC全系产品聚焦新能源车、光储充、UPS、工业电源、AI服务器以及新兴应用机器人、eVTOL、电动船舶等应用领域，已大规模出货，服务行业客户。
与此同时，方正微电子携碳化硅全场景解决方案亮相上海慕尼黑展会，覆盖新能源汽车、新兴应用及光储充等多个领域。其中，新能源汽车领域，方正微电子展示了G1/G2/G3三代车规碳化硅晶圆、衬底、外延、裸die器件、模组；光储充领域，展示了SiC MOS单管及模组，与SiC SBD解决方案。
2、士兰微电子展示车用SiC模块等方案
在上海慕尼黑展会上，士兰微电子展示了多项解决方案，覆盖白电、汽车、工业新能源、AI算力及机器人等领域，包括空调/冰箱/洗衣机变频方案、车用SiC模块、光伏逆变器解决方案及服务器板级电源等。
source：杭州士兰微电子股份有限公司
士兰微电子还集中展示四大核心领域解决方案：白电领域突出直流变频技术应用；汽车领域展示B3G SiC模块等车规级芯片；工业新能源主推微型逆变器与储能变流器方案；AI算力方向提供六轴IMU传感器及服务器电源方案。
资料显示，长期以来士兰微电子坚持走IDM（设计制造一体化）发展道路，不断积累技术和工艺经验，推动和引领着国内功率半导体芯片行业的发展。
今年2月28日，士兰微电子8英寸碳化硅（SiC）功率器件芯片制造生产线项目（厦门士兰集宏一期）正式封顶。
一期项目投资70亿元，力争在今年年底实现初步通线，明年一季度投产，到2028年底最终形成年产42万片8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。项目的建成，将能较好的满足国内新能源汽车所需的碳化硅芯片需求，并有能力向光伏、储能、充电桩、Ai服务器电源、大型白电等功率逆变产品提供高性能的碳化硅芯片，同时促进国内8英寸碳化硅衬底及相关工艺装备的协同发展。
士兰微在厦门制造基地建设的车规级6英寸SiC MOSFET产线，从2022年起至今已经量产三年，目前基于士兰自主研发和生产的二代SiC主驱芯片开发的高性能SiC功率模块已大批量上车，得到了TOP客户认可，并且士兰微已完成了四代SiC芯片的研发，新一代SiC功率模块也将于今年上量。（集邦化合物半导体秦妍整理）