碳化硅与氮化镓进展显著,两家厂商最新业绩披露

作者 | 发布日期 2026 年 09 月 03 日 15:46 | 分类 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC

近期,两家功率半导体产业链企业相继披露2026年上半年业绩。天域半导体上半年收入保持增长,8英寸碳化硅外延片出货比例持续提升;宏微科技则在SiC MOSFET小批量出货、GaN产品通过客户认证等方面取得实质性进展。

1、天域半导体:8英寸外延片出货增长,海外市场拓展取得突破

8月27日,天域半导体发布2026年中期业绩公告。报告期内公司实现收入3.48亿元,同比增长4.3%。收入增长主要得益于8英寸碳化硅外延片产能提升及下游市场需求增强。

图片来源:天域半导体中期业绩公告截图

在产品结构上,6英寸碳化硅外延片保持稳定出货量,8英寸产品因东莞生态园新生产基地的产能扩建出货比例持续增加,4英寸产品占比进一步下降。公司已成为中国同时具备6英寸与8英寸外延片大规模产能的主要制造商之一。海外市场拓展取得进展,来自中国内地以外国家和地区的收入达6250万元,同比增长4906%。

盈利方面,公司录得净亏损1.23亿元,上年同期为净利润3090.5万元。亏损主要由于碳化硅外延片市场价格竞争加剧,8英寸外延片售价正常化速度快于预期,导致平均售价下跌,同时销量及产量受季节性因素影响,固定制造成本吸收减弱。

战略合作方面,报告期内公司与青禾晶元订立战略合作协议,共同开展下一代键合材料的工艺开发及技术迭代;与韩国EYEQ Lab Inc.签订战略合作协议,拓展国际客户群。

2、宏微科技:营收净利双增,SiC与GaN多领域放量

8月28日,宏微科技(688711)公布2026年半年报。公司实现营业收入7.38亿元,同比增长8.49%;归母净利润398.57万元,同比增长33.84%;经营活动现金流净额2.10亿元,同比由负转正。

图片来源:宏微科技半年报截图

在第三代半导体产品方面,宏微科技聚焦IGBT、FRD、SiC、GaN为核心的功率半导体芯片、单管及模块的设计与研发。报告期内,1200V 30mΩ SiC MOSFET已实现小批量出货;GaN 650V 30mΩ芯片通过AIDC电源客户认证并进入逐步放量阶段,面向人形机器人应用的GaN产品进入批量送样测试。全SiC模块出货量稳步提升。

在应用领域拓展上,公司在AIDC领域与北美客户在UPS、定制化服务器电源、SST等方向开展合作,SST产品已完成送样;工业控制领域与汇川技术、西门子数控等行业头部客户保持长期稳定合作;新能源发电及储能领域已在多家头部逆变器厂商实现批量供货;新能源汽车领域车载功率模块产品持续放量。

合作布局方面,公司与国家电投旗下国电投核力创芯签署战略合作协议,共建功率半导体联合实验室;携手怀柔实验室设立北京宏微怀实,聚焦SiC外延、芯片、器件及模块等关键技术及规模化生产;首家欧洲全资子公司已在德国完成设立登记。

(集邦化合物半导体整理)

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